[發(fā)明專利]一種基于半導(dǎo)體異質(zhì)集成的多能源收集系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911127546.2
• 申請日: 2019-11-18
• 公開（公告）號: CN111029337B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林時(shí)勝;陸陽華;鄭浩男
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L29/861;H01L29/872;H01L31/108;H01L31/109;H02J7/35
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 萬尾甜;韓介梅

1.一種基于半導(dǎo)體異質(zhì)集成的多能源收集系統(tǒng)，其特征在于，包括半導(dǎo)體異質(zhì)集成芯片、儲(chǔ)能系統(tǒng)、供電接口；半導(dǎo)體異質(zhì)集成芯片用于收集無線電、太陽能和機(jī)械能并轉(zhuǎn)化為電能，存儲(chǔ)在儲(chǔ)能系統(tǒng)中，通過供電接口為電子設(shè)備供電；所述的半導(dǎo)體異質(zhì)集成芯片包括第一種半導(dǎo)體層（1）、第二種半導(dǎo)體層（2）和第三種半導(dǎo)體層或金屬層（3），其中第一、第二種半導(dǎo)體層疊置構(gòu)成靜態(tài)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)，二者費(fèi)米能級不同，第三種半導(dǎo)體層或金屬層（3）與第二種半導(dǎo)體層（2）疊置且相互接觸并可相對滑動(dòng)，二者費(fèi)米能級也不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于半導(dǎo)體異質(zhì)集成的多能源收集系統(tǒng)，其特征在于，所述的第一種半導(dǎo)體層（1）、第二種半導(dǎo)體層（2）和第三種半導(dǎo)體層均選自石墨烯、硅、砷化鎵、銦鎵砷、二硫化鉬、黑磷、氧化鋅、鍺、氮化硅、碲化鎘、氮化鎵、磷化銦。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于半導(dǎo)體異質(zhì)集成的多能源收集系統(tǒng)，其特征在于，所述的金屬層選自金、鐵、鈀、銅、銀、鈦、鉻、鎳、鉑、鋁、ITO、FTO、AZO的一種或者幾種的復(fù)合金屬。