[發明專利]用于多光譜圖像傳感器的復合型濾光結構在審
| 申請號： | 201911127122.6 | 申請日： | 2019-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN110931519A | 公開（公告）日： | 2020-03-27 |
| 發明（設計）人： | 曹笈;谷雨;裴海燕;謝咚咚;張海濱;朱啟銘 | 申請（專利權）人： | 江蘇集萃智能傳感技術研究所有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 趙淑芳 |
| 地址： | 215104 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 光譜 圖像傳感器 復合型 濾光 結構 | ||
1.一種用于多光譜圖像傳感器的復合型濾光結構，其特征在于，包括基底(1)，所述基底(1)上設置有金屬孔層(2)，所述金屬孔層(2)上設置有介質覆蓋層(3)，所述金屬孔層(2)上設置周期性排列的孔單元，所述孔單元包括至少兩組不同形狀的金屬孔。
2.根據權利要求1所述的用于多光譜圖像傳感器的復合型濾光結構，其特征在于，所述金屬孔包括圓孔和十字孔，所述圓孔和十字孔呈間隔排列。
3.根據權利要求2所述的用于多光譜圖像傳感器的復合型濾光結構，其特征在于，所述十字孔長度為100-200nm，寬度為40nm-80nm，圓孔直徑為80-140nm，間隔周期為120nm-220nm。
4.根據權利要求2所述的用于多光譜圖像傳感器的復合型濾光結構，其特征在于，所述十字孔長度為250-300nm，寬度為40nm-80nm，圓孔直徑為150-200nm，間隔周期為300nm-350nm。
5.根據權利要求1所述的用于多光譜圖像傳感器的復合型濾光結構，其特征在于，所述基底(1)采用石英玻璃或柔性透明材料制成。
6.根據權利要求1所述的用于多光譜圖像傳感器的復合型濾光結構，其特征在于，所述金屬孔層(2)采用金、銀、鍺、鈦或鋁制成。
7.根據權利要求1所述的用于多光譜圖像傳感器的復合型濾光結構，其特征在于，所述介質覆蓋層(3)采用二氧化硅、氮化硅、PMMA、氟化鎂或氧化鋁制成。
8.根據權利要求1所述的用于多光譜圖像傳感器的復合型濾光結構，其特征在于，所述金屬孔層(2)的厚度為100nm～200nm。
9.根據權利要求1所述的用于多光譜圖像傳感器的復合型濾光結構，其特征在于，所述介質覆蓋層(3)的厚度為50nm～200nm。
10.一種多光譜圖像傳感器，其特征在于，包括權利要求1-9所述的復合型濾光結構及感光元器件，所述復合型濾光結構集成于所述感光元器件上。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
