[發(fā)明專利]一種利用合金相變校準MOCVD設備溫度的裝置及方法

有效

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• 申請日: 2019-11-15
• 公開（公告）號: CN111006768B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設計）人: 朱明星;李華;周少將;王偉明
• 申請（專利權）人: 江蘇宜興德融科技有限公司
• 主分類號: G01J5/00
• 分類號: G01J5/00;C23C16/52
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種利用合金相變校準MOCVD設備溫度的裝置，其特征在于，包括：

校溫片，所述校溫片包括相變材料層（20），所述相變材料層（20）具有預定的相變溫度點，所述校溫片設置于MOCVD設備的樣品處，通過相變材料層（20）發(fā)生相變反應時校溫片表面激光反射率突變來獲得樣品處的真實溫度；

其中，所述相變材料層（20）包括單質(zhì)薄膜層和/或合金薄膜層；

所述相變材料層（20）的材料選自同一種材料體系，所述材料體系包括鋁鍺、鋁硅、銀鍺、銀硅或銀鎳材料體系，對應預定的相變溫度點分別為420℃、577℃、650℃、848℃、960℃；

所述相變材料層（20），當采用鋁鍺、鋁硅材料體系時，鋁重量占比為2%~98%；當采用銀鍺材料體系時，銀重量占比為2%~90%；當采用銀硅材料體系時，銀重量占比為1%~99%；當采用銀鎳材料體系時，銀重量占比為1%~98%。

2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述校溫片還包括：

基底材料（10），所述相變材料層（20）以薄膜形式沉積在所述基底材料（10）上。

3.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述相變材料層（20）為單質(zhì)薄膜層，所述相變材料層（20）包括至少一層第一單質(zhì)薄膜層（201）與至少一層第二單質(zhì)薄膜層（202），所述第一單質(zhì)薄膜層（201）和第二單質(zhì)薄膜層（202）的材料為同一材料體系中兩種不同的單質(zhì)元素。

4.根據(jù)權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第一單質(zhì)薄膜層（201）和第二單質(zhì)薄膜層（202）以任意順序交替沉積在所述基底材料（10）上，且各層單質(zhì)薄膜層的厚度為第一預定厚度范圍內(nèi)的任意值。

5.根據(jù)權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述第一預定厚度范圍為100nm~1000nm。

6.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述相變材料層（20）為合金薄膜層，所述相變材料層（20）包括至少一層合金薄膜層（200），所述合金薄膜層（200）的厚度在第二預定厚度范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述第二預定厚度范圍為大于200nm。

8.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述相變材料層（20）包括至少一層單質(zhì)薄膜層與至少一層合金薄膜層（200），所述單質(zhì)薄膜層及合金薄膜層（200）中的材料選自同一材料體系中的兩種元素，且所述至少一層單質(zhì)薄膜層與至少一層合金薄膜層（200）以任意順序及層數(shù)進行排列，沉積于所述基底材料（10）上。

9.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其特征在于，

當所述相變材料層（20）選自鋁鍺、鋁硅、銀鍺、銀硅四種材料體系中的任一種時，所述基底材料（10）為硅、藍寶石或碳化硅晶片；

當所述相變材料層（20）為銀鎳材料體系時，所述基底材料（10）為藍寶石或碳化硅晶片。

10.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其特征在于，當所述基底材料（10）為硅基底時，所述相變材料層（20）包括一層單質(zhì)薄膜層，所述一層單質(zhì)薄膜層通過與所述硅基底配合形成相變材料。

11.根據(jù)權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述一層單質(zhì)薄膜層為鋁單質(zhì)薄膜層或銀單質(zhì)薄膜層。