[發(fā)明專利]一種圖案化核殼結(jié)構(gòu)納米粒子SERS活性基底及制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911124186.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110849864A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-02-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王璐;王作斌;董莉彤;李理;張景然;翁占坤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)春理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/65 | 分類號(hào): | G01N21/65;B82Y15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司 11251 | 代理人: | 安麗 |
| 地址: | 130022 *** | 國(guó)省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 圖案 化核殼 結(jié)構(gòu) 納米 粒子 sers 活性 基底 制備 方法 | ||
1.一種圖案化核殼結(jié)構(gòu)納米粒子SERS活性基底,其特征在于:所述核殼結(jié)構(gòu)納米粒子由球狀金(Au)粒子的殼層以及磁性鎳(Ni)粒子的核層構(gòu)成,該圖案化的Ni@Au核殼結(jié)構(gòu)納米粒子作為SERS(表面增強(qiáng)拉曼光譜)活性基底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圖案化核殼結(jié)構(gòu)納米粒子SERS活性基底,其特征在于:所述Au粒子殼層的厚度為1-100nm,Ni粒子核層的厚度范圍是為1-100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圖案化核殼結(jié)構(gòu)納米粒子SERS活性基底,其特征在于:根據(jù)核殼結(jié)構(gòu)粒子中Au和Ni材料的體積比例,表述為Ni1-100@Au1-100。
4.一種圖案化核殼結(jié)構(gòu)納米粒子SERS活性基底制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)直接激光干涉燒蝕制備微米圖案化的納米結(jié)構(gòu)硅基底:利用波長(zhǎng)為1064nm的激光器搭建激光干涉系統(tǒng),調(diào)節(jié)系統(tǒng)參數(shù)使干涉光形成的周期性微米圖案,調(diào)節(jié)干涉能量密度為300-500mJ/cm2干涉光在硅基底表面燒蝕形成周期性圖案化的納米結(jié)構(gòu),圖案周期為5-10μm可控;
(2)沉積金鎳雙層金屬膜:將總厚度范圍為5-30nm的金鎳雙層膜濺射沉積在燒蝕后的硅基底上,其中金膜作為頂層;金膜和鎳膜的厚度比根據(jù)所需納米粒子成份比例確定,其中金的厚度范圍為5-30nm,鎳的厚度范圍為5-30nm;
(3)退火金鎳雙層金屬膜:將步驟(2)得到的沉積雙層金屬膜后的硅基底真空退火,退火溫度為950攝氏度,退火時(shí)間為1-10分鐘,自然冷卻后得到附著在硅基底上的圖案化Ni@Au核殼結(jié)構(gòu)納米粒子,即為所制備的SERS活性基底。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種圖案化核殼結(jié)構(gòu)納米粒子SERS活性基底制備方法,其特征在于:所述的圖案化核殼結(jié)構(gòu)納米粒子的圖案與激光干涉光場(chǎng)圖案一致。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種圖案化核殼結(jié)構(gòu)納米粒子SERS活性基底制備方法,其特征在于:所述的Ni@Au核殼結(jié)構(gòu)中金鎳材料的成分比例可通過(guò)步驟(2)中金鎳兩種材料膜厚比例調(diào)控。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種圖案化核殼結(jié)構(gòu)納米粒子SERS活性基底制備方法,其特征在于:所述Ni@Au核殼結(jié)構(gòu)納米粒子具有磁性,且Au殼層厚度以及相應(yīng)的拉曼增強(qiáng)因子可調(diào)節(jié),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)基底SERS性能調(diào)控。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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