[發明專利]一種通過構建二維橫向異質結產生電荷密度波的方法有效
| 申請號： | 201911121501.4 | 申請日： | 2019-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN110826246B | 公開（公告）日： | 2023-08-25 |
| 發明（設計）人： | 李偉;崔振浩 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | G06F30/20 | 分類號： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 王玉仙 |
| 地址： | 215168 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 通過 構建 二維 橫向 異質結 產生 電荷 密度 方法 | ||
1.一種通過構建二維橫向異質結產生電荷密度波的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S10、選擇晶格常數相匹配的黑磷和藍磷進行橫向異質結構的搭建，形成準一維界面；
S20、進行能帶結構和電荷密度計算；
S30、對奇數位或偶數位的P原子進行相對位移，形成雙倍周期的準一維界面，進行晶體結構優化，形成peierls型體系；
S40、對形變的體系進行能帶結構和電荷密度計算，確認電荷密度波的產生；
S50、對形變的體系進行分子動力學模擬；
S60、構建一維的P原子鏈狀結構，驗證peierls不穩定性是否存在于單純的一維P原子鏈，與構建的異質結準一維界面進行對比；
S70、對形變和未形變兩種異質結構做電子結構對比，分析peierls不穩定性對器件性能的影響；
S80、選擇石墨烯和h-BN二維材料構建橫向異質結準一維界面，判斷是否產生電荷密度波，確定該方法是否適用于其他二維體系。
2.如權利要求1所述的通過構建二維橫向異質結產生電荷密度波的方法，其特征在于，所述步驟S50具體包括：
對形變的體系進行分子動力學模擬，溫度設置在室溫300K，時間選擇10皮秒，晶體結構趨于穩定狀態。
3.如權利要求1所述的通過構建二維橫向異質結產生電荷密度波的方法，其特征在于，所述步驟S10具體包括：
選擇晶格常數相匹配的單層黑磷和藍磷分別進行結構優化，對優化好的單層磷烯進行橫向異質結構的構建，保證相鄰對應的P原子x坐標方向一致，重新進行晶體結構優化，優化好的結構界面處呈現等間距的準一維界面。
4.如權利要求1所述的通過構建二維橫向異質結產生電荷密度波的方法，其特征在于，黑磷和藍磷和晶格常數分別為3.314埃和3.278埃。
5.如權利要求4所述的通過構建二維橫向異質結產生電荷密度波的方法，其特征在于，位移后的P原子間距由原來的3.27埃變為2.48埃。
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