[發(fā)明專利]一種基于電阻模塊的銅基板生產(chǎn)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911120218.X | 申請日: | 2019-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN110856356A | 公開(公告)日: | 2020-02-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉勝賢;王錦艷;蹇錫高;唐瑞芳 | 申請(專利權(quán))人: | 莆田市涵江區(qū)依噸多層電路有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/06 | 分類號: | H05K3/06;H05K3/28;H05K1/05 |
| 代理公司: | 福州君誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211 | 代理人: | 張耕祥 |
| 地址: | 351100 福建省莆田市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 電阻 模塊 銅基板 生產(chǎn) 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種基于電阻模塊的銅基板生產(chǎn)方法,包括如下步驟:(1)取全銅板作為基板;(2)對基板依序進(jìn)行噴砂、壓模處理,獲得覆蓋干膜的基板,繼而按預(yù)設(shè)線路及工具孔位置對基板上的干膜進(jìn)行曝光處理;(3)對曝光后的基板進(jìn)行化學(xué)刻蝕;(4)對基板背面進(jìn)行壓模處理,獲得覆蓋有PI膜的基板;(5)對基板再次依序進(jìn)行噴砂、壓模處理后;再次獲得覆蓋有干膜的基板,然后再按預(yù)設(shè)圖形對基板上的干膜進(jìn)行曝光處理;(6)使用VCP電鍍對基板進(jìn)行圖像電鍍處理后,去除多余干膜;(7)對基板進(jìn)行阻焊處理,使基板上覆蓋一層油墨層;(8)對油膜層進(jìn)行曝光、顯影處理,使基板上預(yù)設(shè)電阻模塊的部分形成開窗,制得所需銅基板,本方案實(shí)施可靠。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電路板基板生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種基于電阻模塊的銅基板生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的的銅基板生產(chǎn)存在如下局限:
1、銅基板板厚為0.1mm,其采用傳統(tǒng)方法鉆孔的形式容易使得銅面上有披鋒,以致于外層蝕刻容易造成孔口過蝕;
2、PCB板的板材材質(zhì)較軟,在各水平線容易卡板,且阻焊印刷時(shí)其槽孔內(nèi)油墨難以填入油墨,導(dǎo)致槽底部無油墨。
因此,為了提高銅基板的可靠穩(wěn)定,勢必有需要進(jìn)行技術(shù)革新,以使其能夠更具有使用可靠性。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的情況,本發(fā)明的目的在于提供一種能夠克服設(shè)置工具孔出現(xiàn)披鋒情況且成孔效率低的基于電阻模塊的銅基板生產(chǎn)方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述的技術(shù)目的,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:
一種基于電阻模塊的銅基板生產(chǎn)方法,其包括如下步驟:
(1)取全銅板作為基板;
(2)對基板依序進(jìn)行噴砂、壓模處理后,獲得覆蓋干膜的基板,繼而按預(yù)設(shè)線路及工具孔位置對基板上的干膜進(jìn)行曝光處理;
(3)對曝光后的基板進(jìn)行化學(xué)刻蝕;
(4)對基板背面進(jìn)行壓模處理,獲得覆蓋有PI膜的基板;
(5)對基板再次依序進(jìn)行噴砂、壓模處理后;再次獲得覆蓋有干膜的基板,然后再按預(yù)設(shè)圖形對基板上的干膜進(jìn)行曝光處理;
(6)使用VCP電鍍對基板進(jìn)行圖像電鍍處理后,去除多余干膜;
(7)對基板進(jìn)行阻焊處理,使基板上覆蓋一層油墨層;
(8)對油膜層進(jìn)行曝光、顯影處理,使基板上預(yù)設(shè)電阻模塊的部分形成開窗,制得所需銅基板。
進(jìn)一步,步驟(1)中所述的基板厚度為0.1 mm,且其表面無損傷。
進(jìn)一步,步驟(2)中壓模處理的壓模壓力為3.5 Kg/cm2,壓模速度為2.5 m/min。
進(jìn)一步,步驟(2)中所述的工具孔至少包括防呆孔、定位孔和若干掛Pin孔,其中,掛pin孔之間的間距為250 mm。
進(jìn)一步,步驟(3)中所述的化學(xué)刻蝕線速度為1.8~1.9 m/min,蝕刻藥水為CU2+含量為150~180 g/L,HCl當(dāng)量為2.0 N的刻蝕藥水,刻蝕溫度50±3 ℃。
進(jìn)一步,步驟(4)中壓模處理的壓模壓力為5 Kg/cm2,PI膜的厚度為0.05 mm,壓模后使用壓機(jī)在120 ℃條件下,以120 Psi壓力進(jìn)行保持1 h。
進(jìn)一步,步驟(5)中覆蓋的干膜厚度為100 um,干膜施加的壓模壓力為3.5 Kg/cm2,壓模速度為2.5 m/min。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于莆田市涵江區(qū)依噸多層電路有限公司,未經(jīng)莆田市涵江區(qū)依噸多層電路有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911120218.X/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類





