[發明專利]一種鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201911120172.1 | 申請日: | 2019-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN110931646B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 朱煜劍 | 申請(專利權)人: | 中茂綠能科技(西安)有限公司 |
| 主分類號: | H10K71/12 | 分類號: | H10K71/12;H10K30/15;H10K71/15;H10K71/16;H10K71/40 |
| 代理公司: | 蘇州集律知識產權代理事務所(普通合伙) 32269 | 代理人: | 任驍東 |
| 地址: | 712000 陜西省西安市*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
1)提供一玻璃基底,在所述玻璃基底上形成多個呈矩陣排列的微米柱陣列,單個所述微米柱的直徑為300-600微米,單個所述微米柱的高度為3-6毫米,相鄰所述微米柱之間的間距為300-600微米;
2)接著在所述玻璃基底上蒸鍍透明導電層;
3)接著在所述透明導電層上制備電子傳輸層,所述制備電子傳輸層的具體步驟為:首先以轉速為3000-3500轉/分鐘旋涂Ti3C2摻雜的SnO2膠體溶液,其中,所述Ti3C2摻雜的SnO2膠體溶液中SnO2膠體的質量濃度為1-1.8%,Ti3C2的質量濃度為0.1-0.2%,并進行退火處理;接著以轉速為4000-4500轉/分鐘旋涂Ti3C2摻雜的SnO2膠體溶液,其中,所述Ti3C2摻雜的SnO2膠體溶液中SnO2膠體的質量濃度為0.8-1.5%,Ti3C2的質量濃度為0.06-0.12%,并進行退火處理;接著以轉速為5000-5500轉/分鐘旋涂Ti3C2摻雜的SnO2膠體溶液,其中,所述Ti3C2摻雜的SnO2膠體溶液中SnO2膠體的質量濃度為0.3-0.9%,Ti3C2的質量濃度為0.02-0.05%,并進行退火處理,然后進行紫外臭氧處理20-40分鐘,以得到電子傳輸層;
4)接著在所述電子傳輸層上制備鈣鈦礦功能層,制備所述鈣鈦礦功能層的具體步驟為:首先以轉速為2000-3000轉/分鐘旋涂質量濃度為20-30%的鈣鈦礦前驅體溶液,并進行退火處理;接著以轉速為3500-4500轉/分鐘旋涂質量濃度為10-20%的鈣鈦礦前驅體溶液,并進行退火處理;接著以轉速為4500-5500轉/分鐘旋涂質量濃度為5-10%的鈣鈦礦前驅體溶液,并進行退火處理;接著以轉速為5500-6500轉/分鐘旋涂質量濃度為1-5%的鈣鈦礦前驅體溶液,并進行退火處理,以得到鈣鈦礦功能層;
5)接著在所述鈣鈦礦功能層上制備空穴傳輸層,制備所述空穴傳輸層的具體步驟為:首先以轉速為3000-4000轉/分鐘旋涂Spiro-OMeTAD濃度為8-16mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液,并進行烘干處理;接著以轉速為4000-5000轉/分鐘旋涂Spiro-OMeTAD濃度為5-10mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液,并進行烘干處理;接著以轉速為5000-6000轉/分鐘旋涂Spiro-OMeTAD濃度為2-6mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液,并進行烘干處理,以得到空穴傳輸層;
6)接著在所述空穴傳輸層上形成金屬電極;
其中,在所述步驟1)中,通過熱模壓工藝形成所述微米柱陣列,在所述步驟4)中,旋涂不同濃度的鈣鈦礦前驅體溶液后的各退火處理的具體工藝均為:首先在65℃的條件下熱處理7分鐘,接著升溫至100℃,然后再熱處理25分鐘。
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:在所述步驟3)中,旋涂不同濃度的Ti3C2摻雜的SnO2膠體溶液后的各退火處理的具體工藝均為:首先在90-110℃的條件下熱處理5-10分鐘,接著以30-40℃/min升溫至145-155℃,然后再熱處理25-35分鐘。
3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:在所述步驟4)中,鈣鈦礦前驅體溶液的配置方法為:將碘甲胺晶體和碘化鉛粉末按照摩爾比1:1溶于N,N-二甲基甲酰胺溶劑中,在70℃下攪拌12小時制得質量濃度為45%的鈣鈦礦前驅體溶液,并稀釋成不同濃度的鈣鈦礦前驅體溶液,以備用。
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