[發明專利]發光二極管和發光二極管制備方法有效
| 申請號： | 201911119307.2 | 申請日： | 2019-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN110854246B | 公開（公告）日： | 2021-07-30 |
| 發明（設計）人： | 王晟 | 申請（專利權）人： | 蕪湖德豪潤達光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 石慧 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 制備 方法 | ||
1.一種發光二極管，其特征在于，包括：
襯底(10)；
緩沖層(20)、氮化鎵層(30)、N型半導體層(40)以及P型半導體層(60)，在所述襯底(10)表面依次層疊設置；
多量子阱層(50)，層疊設置于所述N型半導體層(40)與所述P型半導體層(60)之間；
所述多量子阱層(50)包括至少一個子層結構(501)，所述子層結構(501)設置于所述N型半導體層(40)遠離所述氮化鎵層(30)的表面；
每個所述子層結構(501)包括第一量子阱結構(510)以及多個第二量子阱結構(520)，所述第一量子阱結構(510)設置于所述N型半導體層(40)遠離所述氮化鎵層(30)的表面，所述多個第二量子阱結構(520)依次設置于所述第一量子阱結構(510)遠離所述N型半導體層(40)的表面，且每個所述第二量子阱結構(520)的厚度小于所述第一量子阱結構(510)的厚度；
所述第一量子阱結構(510)包括：
量子壘層(511)，設置于所述N型半導體層(40)遠離所述氮化鎵層(30)的表面；
第一勢阱層(512)，設置于所述量子壘層(511)遠離所述N型半導體層(40)的表面；
所述量子壘層(511)為AlmInnGa1-m-nN，所述第一勢阱層(512)為InxGa1-xN；
每個所述第二量子阱結構(520)包括：
第一勢壘層(521)，設置于所述第一勢阱層(512)遠離所述量子壘層(511)的表面；
第二勢阱層(522)，設置于所述第一勢壘層(521)遠離所述第一勢阱層(512)的表面；
所述第一勢壘層(521)為InyGa1-yN，所述第二勢阱層(522)為InxGa1-xN；
所述第一勢阱層(512)、所述第一勢壘層(521)以及所述第二勢阱層(522)的厚度小于所述量子壘層(511)。
2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述AlmInnGa1-m-nN中0m0.6，0n0.2；
所述InxGa1-xN中0.2x0.22。
3.如權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述量子壘層(511)的厚度為100nm～140nm；
所述第一勢阱層(512)的厚度為2nm～6nm。
4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述InyGa1-yN中0y0.1；
所述InxGa1-xN中0.2x0.22。
5.如權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，所述第一勢壘層(521)的厚度為4nm～8nm；
所述第二勢阱層(522)的厚度為2nm～6nm。
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