[發(fā)明專利]一種基于F-P腔的四極化MIMO天線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911119291.5 | 申請日： | 2019-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN110854530B | 公開（公告）日： | 2022-07-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 樸大志;王軼玨 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國傳媒大學(xué) |
| 主分類號： | H01Q1/38 | 分類號： | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q15/24 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;賈允 |
| 地址： | 100024 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 極化 mimo 天線 | ||
1.一種基于F-P腔的四極化MIMO天線，其特征在于，所述天線具有如下結(jié)構(gòu)：
金屬地板(11)，底層介質(zhì)基板(12)，第一、二激勵天線(13)，第三、四激勵天線(14)，介質(zhì)腔(15)，上層介質(zhì)基板(16)，周期性金屬貼片(17)；
所述上層介質(zhì)基板(16)與所述周期性金屬貼片(17)共同組成部分反射表面(Partially Reflective Surface，PRS)；
所述部分反射表面、介質(zhì)腔(15)與金屬地板(11)、底層介質(zhì)基板(12)共同構(gòu)成F-P腔；
所述部分反射表面構(gòu)成所述F-P腔的一端，所述金屬地板(11)和底層介質(zhì)基板(12)構(gòu)成所述F-P腔的另一端；
第一、二激勵天線(13)為微帶貼片天線，第三、四激勵天線(14)為電偶極子天線；第一、二激勵天線(13)，第三、四激勵天線(14)設(shè)置于所述介質(zhì)腔(15)內(nèi)部；第一、二激勵天線(13)設(shè)置在所述底層介質(zhì)基板上，第三、四激勵天線(14)平行于所述金屬地板(11)放置，其中第一、二激勵天線(13)激勵形成一個雙極化微帶貼片天線，得到兩個正交的磁場分量；第三、四激勵天線(14)激勵形成兩個正交的電偶極子天線，得到兩個正交的電場分量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIMO天線，其特征在于，激勵源由四個饋電端口(18)施加，每個饋電端口(18)對應(yīng)一個激勵源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIMO天線，其特征在于，所述周期性金屬貼片(17)為矩形或圓形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIMO天線，其特征在于，所述周期性金屬貼片(17)為周期性的陣列形式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIMO天線，其特征在于，介質(zhì)腔(15)高度為所述天線中心頻率所對應(yīng)波長的一半。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MIMO天線，其特征在于，第三、四激勵天線(14)高度為所述介質(zhì)腔(15)高度的一半。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國傳媒大學(xué)，未經(jīng)中國傳媒大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911119291.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
