[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911119139.7
• 申請(qǐng)日: 2019-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN110828496B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬書英;鄭鳳霞;劉軼;金韶;萬石保
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華天科技（昆山）電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L25/07
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 楊淑霞

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，其中，所述半導(dǎo)體器件制造方法包括如下步驟：S1、在硅基片的正面開設(shè)需求數(shù)量的槽體；S2、將第一芯片、第二芯片的晶圓減薄到需求厚度；S3、將第一芯片、第二芯片分別固定于開設(shè)的槽體中；S4、在第一芯片、第二芯片表層的阻焊層上設(shè)置焊點(diǎn)；S5、將硅基片的背面進(jìn)行減薄，再第三芯片以倒裝方式焊接于設(shè)置的焊點(diǎn)上。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法中，將第一芯片和第二芯片通過硅基片進(jìn)行封裝，并通過倒裝方式實(shí)現(xiàn)第三芯片與第一芯片和第二芯片之間互連，最終封裝厚度小于600um，實(shí)現(xiàn)了超薄、更小體積的封裝，且實(shí)現(xiàn)三維互連，信號(hào)傳輸距離更遠(yuǎn)、更快。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

圖像傳感器是利用光電器件的光電轉(zhuǎn)換功能。將感光面上的光像轉(zhuǎn)換為與光像成相應(yīng)比例關(guān)系的電信號(hào)。與光敏二極管，光敏三極管等“點(diǎn)”光源的光敏元件相比，圖像傳感器是將其受光面上的光像，分成許多小單元，將其轉(zhuǎn)換成可用的電信號(hào)的一種功能器件。

與圖像傳感技術(shù)相關(guān)的芯片包括：CMOS芯片、ISP芯片和DDR芯片。目前，圖像傳感器封裝是將CMOS芯片，ISP芯片和DDR芯片平放在PCB 板上。然而，上述封裝方式中通過打線方式將信號(hào)引出，該傳統(tǒng)的圖像傳感器的封裝方式存在封裝體積大且封裝厚度厚的問題。因此，針對(duì)如上述問題，有必要提出進(jìn)一步的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：

一種半導(dǎo)體器件制造方法，其包括如下步驟：

S1、在硅基片的正面開設(shè)需求數(shù)量的槽體；

S2、將第一芯片、第二芯片的晶圓減薄到需求厚度；

S3、將第一芯片、第二芯片分別固定于開設(shè)的槽體中；

S4、在第一芯片、第二芯片表層的阻焊層上設(shè)置焊點(diǎn)；

S5、將硅基片的背面進(jìn)行減薄，再第三芯片以倒裝方式焊接于設(shè)置的焊點(diǎn)上。

作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法的制造方法，所述步驟S2具體包括：先將第一芯片、第二芯片的晶圓減薄到需求厚度，再將減薄后的晶圓切割形成單顆芯片。

作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法的制造方法，所述步驟S2具體包括：先切割形成單顆芯片，再對(duì)單顆第一芯片、第二芯片的晶圓減薄到需求厚度。

作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法的制造方法，所述步驟S3中，將第一芯片、第二芯片通過粘膠方式粘接于所在槽體的底面。

作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法的制造方法，所述步驟S3中，在所述第一芯片、第二芯片的表面及第一芯片、第二芯片與槽體之間的間隙形成鈍化層，同時(shí)在鈍化層上形成芯片的焊接位置。

作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法的制造方法，所述步驟S3和S4之間，還包括：通過重布線的方式，將第一芯片和第二芯片的信號(hào)引出。

作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法的制造方法，所述重布線的方式為金屬重布線，其包括：在第一芯片和第二芯片的焊接位置沉積一層種子層，再光刻出線路，然后將金屬線路加厚至要求的厚度。

作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法的制造方法，所述重布線的方式為多層金屬重布線，其包括：在第一芯片和第二芯片的焊接位置逐層沉積種子層，在沉積的同時(shí)光刻出線路，在最后一層線路上采用化鍍方式形成保護(hù)層。

作為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法的制造方法，所述半導(dǎo)體器件制造方法還包括：

S6、將步驟S5得到的產(chǎn)品切割，得到單顆封裝體，將所述單顆封裝體通過打線方式焊接到PCB板上。