[發(fā)明專利]磁傳感器及位置檢測裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911118959.4 | 申請日： | 2019-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN111198341B | 公開（公告）日： | 2022-04-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蔡永福 | 申請（專利權(quán)）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09;G01R33/00;G01B7/00 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 楊琦;黃浩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 傳感器 位置 檢測 裝置 | ||
1.一種磁傳感器，其特征在于，
具備：
磁檢測元件；
具有第一面和與所述第一面相對的第二面，且呈俯視大致長方形的第一磁性體；以及
位于所述第一磁性體的所述第一面上，且位于在俯視圖中的所述第一磁性體的短邊方向大致中央的呈俯視大致長方形的第二磁性體，
所述磁檢測元件以將所述第一磁性體夾在中間而與所述第二磁性體相對的方式設(shè)置，在俯視圖中位于所述第一磁性體的短邊方向的大致中央，
所述磁檢測元件設(shè)置成與所述第一磁性體的所述第二面之間隔開規(guī)定間隔，
所述磁檢測元件的磁敏方向是與所述第一磁性體和所述第二磁性體的短邊方向大致平行的方向，
所述第二磁性體設(shè)置成與所述第一磁性體的所述第一面接觸，
所述第一磁性體的短邊方向的寬度W1大于所述第二磁性體的短邊方向的寬度W2，
所述第二磁性體的短邊方向的寬度W2相對于所述第一磁性體的短邊方向的寬度W1之比W2/W1為0.2～0.8。
2.一種磁傳感器，其特征在于，
具備：
磁檢測元件；
具有第一面和與所述第一面相對的第二面，且呈俯視大致長方形的第一磁性體；以及
位于所述第一磁性體的所述第一面上，且位于在俯視圖中的所述第一磁性體的短邊方向大致中央的呈俯視大致長方形的第二磁性體，
所述磁檢測元件以將所述第一磁性體夾在中間而與所述第二磁性體相對的方式設(shè)置，在俯視圖中位于所述第一磁性體的短邊方向的大致中央，
所述磁檢測元件設(shè)置成與所述第一磁性體的所述第二面之間隔開規(guī)定間隔，
所述磁檢測元件的磁敏方向是與所述第一磁性體和所述第二磁性體的短邊方向大致平行的方向，
所述第二磁性體設(shè)置成與所述第一磁性體的所述第一面之間隔開規(guī)定間隔，
所述第一磁性體的短邊方向的寬度W1大于所述第二磁性體的短邊方向的寬度W2，
所述第二磁性體的短邊方向的寬度W2相對于所述第一磁性體的短邊方向的寬度W1之比W2/W1為0.2～0.8。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器，其特征在于，
所述第一磁性體的厚度T1小于所述第二磁性體的厚度T2。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁傳感器，其特征在于，
所述第二磁性體的厚度T2相對于所述第一磁性體的厚度T1之比T2/T1為2～20。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器，其特征在于，
所述第二磁性體的沿厚度方向的截面的形狀是大致梯形或大致倒梯形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器，其特征在于，
所述第二磁性體的短邊方向上的寬度W2為15μm以上且小于30μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器，其特征在于，
所述第二磁性體的厚度T2為3～20μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器，其特征在于，
多個(gè)所述磁檢測元件沿所述第一磁性體的長邊方向按規(guī)定間隔排列設(shè)置，并且電串聯(lián)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器，其特征在于，
多個(gè)所述磁檢測元件沿所述第一磁性體的短邊方向按規(guī)定間隔排列設(shè)置，并且電串聯(lián)連接，
在俯視圖中，由沿著所述第一磁性體的短邊方向排列設(shè)置的多個(gè)磁檢測元件構(gòu)成的組位于所述第一磁性體的大致中央。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器，其特征在于，
多個(gè)所述磁檢測元件沿著所述第一磁性體的長邊方向和短邊方向以規(guī)定間隔排列設(shè)置成矩陣狀，并且電串聯(lián)連接。
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