[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201911118812.5
• 申請日: 2019-11-15
• 公開（公告）號: CN112397394B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 施信益
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/538
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 浦彩華;姚開麗

1.一種半導體結構，其特征在于，包含：

第一部件，包含：

第一介電層；

所述第一介電層中的第一導電結構，其中所述第一導電結構包含第一導電線及所述第一導電線上的第一導電襯墊；以及

第一填充材料層，位于所述第一導電線上且圍繞所述第一導電襯墊，其中所述第一填充材料層的熱膨脹系數處于所述第一介電層與所述第一導電結構的熱膨脹系數之間；以及

第二部件，接合至所述第一部件，所述第二部件包含：

第二介電層，接合至所述第一介電層；

第二導電結構，位于所述第二介電層中，其中所述第二導電結構包含第二導電襯墊及第二導電線，所述第二導電襯墊接合至所述第一導電襯墊，且所述第二導電線位于所述第二導電襯墊上；以及

第二填充材料層，圍繞所述第二導電襯墊且與所述第二導電線接觸，其中所述第二填充材料層的熱膨脹系數處于所述第二介電層與所述第二導電結構的熱膨脹系數之間。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一導電襯墊及所述第二導電襯墊分別具有寬度，所述寬度小于所述第一導電線及所述第二導電線的寬度。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一導電襯墊與所述第二導電襯墊對準，且所述第一填充材料層與所述第二填充材料層對準。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一填充材料層的頂表面、所述第一導電襯墊的頂表面、所述第二填充材料層的底表面及所述第二導電襯墊的底表面共平面。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，進一步包含所述第一填充材料層與所述第二填充材料層之間的空氣間隙。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一填充材料層及所述第二填充材料層分別具有0.1-2μm的寬度。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一填充材料層及所述第二填充材料層分別包含軟性材料。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述第一填充材料層及所述第二填充材料層分別包含含碳材料。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，進一步包含主動元件，電連接至所述第一導電結構。

10.一種制造半導體結構的方法，其特征在于，包含以下步驟：

形成第一部件，其中所述第一部件包含：

第一介電層；

所述第一介電層中的第一導電結構，其中所述第一導電結構包含第一導電線及所述第一導電線上的第一導電襯墊；以及

第一填充材料層，圍繞所述第一導電襯墊且與所述第一導電線接觸，其中所述第一填充材料層的熱膨脹系數處于所述第一介電層與所述第一導電結構的熱膨脹系數之間；

形成第二部件，其中所述第二部件包含：

第二介電層；

所述第二介電層中的第二導電結構，其中所述第二導電結構包含第二導電線及所述第二導電線上的第二導電襯墊；以及

第二填充材料層，圍繞所述第二導電襯墊且與所述第二導電線接觸，其中所述第二填充材料層的熱膨脹系數處于所述第二介電層與所述第二導電結構的熱膨脹系數之間；以及

將所述第一部件接合至所述第二部件，其中將所述第一導電襯墊接合至所述第二導電襯墊及將所述第一介電層接合至所述第二介電層。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一導電襯墊及所述第二導電襯墊分別具有寬度，所述寬度小于所述第一導電線及所述第二導電線的寬度。

12.如權利要求10所述的方法，其特征在于，將所述第一部件接合至所述第二部件的步驟包含以下步驟：將所述第一導電襯墊與所述第二導電襯墊對準，以及將所述第一填充材料層與所述第二填充材料層對準。