[發明專利]結晶性半導體膜和板狀體以及半導體裝置

在審

• 申請號: 201911118630.8
• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN110804728A
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發明（設計）人: 人羅俊實;織田真也;高塚章夫
• 申請（專利權）人: 株式會社FLOSFIA
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/448;H01L21/365;H01L21/368;H01L29/04;H01L29/24;H01L21/34;H01L29/739;H01L29/772;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 刁興利;康泉

1.一種半導體裝置，其特征在于，其含有結晶性半導體膜，所述結晶性半導體膜含有具有剛玉結構的氧化物半導體作為主成分，所述氧化物半導體含有選自鎵、銦和鋁中的一種或兩種以上的氧化物作為主成分，

所述結晶性半導體膜的膜厚為1μm以上，且耐壓為300V以上。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述氧化物半導體至少包含鎵。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述結晶性半導體膜含有摻雜物。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述結晶性半導體膜為包含n-型半導體層和n+型半導體層的多層膜。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述結晶性半導體膜的膜厚為10μm以上。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，其為立式設備。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，其為肖特基勢壘二極管SBD；金屬半導體場效應晶體管MESFET；高電子遷移率晶體管HEMT；金屬氧化膜半導體場效應晶體管MOSFET；靜電感應晶體管SIT；結型場效應晶體管JFET；絕緣柵雙極晶體管IGBT；或發光二極管LED。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，其為肖特基勢壘二極管SBD。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，其為功率設備。