[發明專利]結晶性半導體膜和板狀體以及半導體裝置

在審

• 申請號: 201911118416.2
• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN110828552A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 人羅俊實;織田真也;高塚章夫
• 申請（專利權）人: 株式會社FLOSFIA
• 主分類號: H01L29/24
• 分類號: H01L29/24;H01L21/34;H01L29/739;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812;H01L29/872;H01L33/26
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 刁興利;康泉

1.一種半導體裝置，其特征在于，其至少具有半導體層、肖特基電極及歐姆電極，所述半導體層由含有具有剛玉結構的氧化物半導體作為主成分的結晶性半導體膜構成，

所述半導體層位于所述肖特基電極和所述歐姆電極之間，

所述結晶性半導體膜的膜厚為1μm以上。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述氧化物半導體含有選自鎵、銦和鋁中的一種或兩種以上的氧化物作為主成分。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述氧化物半導體至少包含鎵。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述結晶性半導體膜含有摻雜物。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述結晶性半導體膜為包含n-型半導體層和n+型半導體層的多層膜。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述肖特基電極含有Al、Mo、Co、Zr、Sn、Nb、Fe、Cr、Ta、Ti、Au、Pt、V、Mn、Ni、Cu、Hf、W、Ir、Zn、In、Pd、Nd、Ag或者它們的合金、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫ITO、氧化鋅銦IZO、聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯或者它們的混合物。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述肖特基電極設置于所述半導體層的表面側，所述歐姆電極設置于所述半導體層的背面側。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，其為立式設備。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，其為二極管。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，其為功率設備。