[發明專利]一種金錫合金鍵合層結構的聲光器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201911117599.6
• 申請日: 2019-11-15
• 公開（公告）號: CN110794597B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 曹家強;王曉新;吳中超;劉保見;陳虹羽
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十六研究所
• 主分類號: G02F1/11
• 分類號: G02F1/11
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務所 50215
• 代理人: 王海軍

1.一種金錫合金鍵合層結構的聲光器件，包括聲光晶體和壓電晶片，所述聲光晶體與所述壓電晶片之間通過鍵合連接；其特征在于，所述聲光晶體的表面依次鍍制有鈦薄膜、氮化鈦薄膜以及金錫合金薄膜；所述壓電晶片的表面依次鍍制有鈦薄膜、氮化鈦薄膜以及金錫合金薄膜；聲光晶體表面的金錫合金薄膜與壓電晶片表面的金錫合金薄膜鍵合。

2.根據權利要求1所述的一種金錫合金鍵合層結構的聲光器件，其特征在于，所述鈦薄膜的厚度為5～10nm，所述氮化鈦薄膜的厚度為10～20nm，所述金錫合金薄膜的厚度為20～40nm。

3.根據權利要求1或2所述的一種金錫合金鍵合層結構的聲光器件，其特征在于，所述金錫合金薄膜中金的質量百分比為70％～90％，錫的質量百分比為10％～30％。

4.一種金錫合金鍵合層結構的聲光器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

1)、采用丙酮、無水乙醇和去離子水依次超聲清洗聲光晶體和壓電晶片；

2)、采用氧等離子體處理聲光晶體和壓電晶片表面；

3)、將聲光晶體和壓電晶片分別固定在鍍膜機內，在聲光晶體和壓電晶片表面分別鍍制鈦薄膜、氮化鈦薄膜和金錫合金薄膜；

4)、通過鍵合設備將聲光晶體的金錫合金薄膜和壓電晶片的金錫合金薄膜接觸，通過加溫加壓完成鍵合。

5.根據權利要求4所述的一種金錫合金鍵合層結構的聲光器件的制備方法，其特征在于，所述鈦薄膜采用磁控濺射鈦靶制備，且以氬氣作為工作氣體。

6.根據權利要求4所述的一種金錫合金鍵合層結構的聲光器件的制備方法，其特征在于，所述氮化鈦薄膜采用磁控反應濺射方法制備，且以氬氣和氮氣的混合氣體作為工作氣體。

7.根據權利要求4所述的一種金錫合金鍵合層結構的聲光器件的制備方法，其特征在于，所述金錫合金薄膜采用磁控濺射金錫合金靶制備，且以氬氣作為工作氣體。