[發明專利]雙充集成電路、芯片、雙充芯片的應用電路及充電裝置在審
| 申請號: | 201911117301.1 | 申請日: | 2019-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN110829532A | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發明(設計)人: | 任仕鼎;謝大盛;王文勝;吳文龍 | 申請(專利權)人: | 深圳市勵創微電子有限公司 |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區科*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 芯片 應用 電路 充電 裝置 | ||
1.一種雙充集成電路,其特征在于,包括:
用于提供基準信號的基準單元;
用于提供復位信號的復位單元;
與基準單元及復位單元連接的、用于分別對若干個電池進行充電的雙充模塊。
2.根據權利要求1所述的雙充集成電路,其特征在于,所述雙充電路還包括:
與復位單元、基準單元及雙充模塊連接的、用于對雙充模塊進行智能控制的智能控制模塊。
3.根據權利要求2所述的雙充集成電路,其特征在于,所述雙充模塊包括:
用于對不同電池進行充電的第一充電單元和第二充電單元;
所述第一充電單元和第二充電單元均與復位單元、基準單元及智能控制模塊連接,所述第一單元。
4.根據權利要求3所述的雙充集成電路,其特征在于,所述智能控制模塊包括:
用于檢測電池溫度并根據檢測到的溫度控制充電電流的溫控單元;
用于檢測第一充電單元的電流并進行均衡的第一輸出電流控制單元;
用于檢測第二充電單元的電流并進行均衡的第二輸出電流控制單元;
所述溫控單元與第一充電單元和第二充電單元連接的,所述第一輸出電流控制單元和第二輸出電流控制單元均與復位單元、基準單元連接,所述第一輸出電流控制單元還與第一充電單元連接,所述第二輸出電流控制單元還與第二充電單元連接,所述第一輸出電流控制單元和第二輸出電流控制單元互聯。
5.根據權利要求4所述的雙充集成電路,其特征在于,所述溫控單元包括第一非門、第二非門、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第一三極管、第二三極管;
所述第一非門的輸入端連接第一使能信號,所述第一非門的輸出端與第二非門的輸入端連接;所述第二非門的輸出端與所述第一MOS管的柵極連接,所述第一MOS管的源極與所述第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第十三MOS管和第十四MOS管的源極以及第七MOS管、第八MOS管的襯底連接并接地,所述第一MOS管的漏極接第一偏置電流、并與所述第二MOS管的漏極和柵極、第三MOS管的柵極、第四MOS管的柵極、第五MOS管的柵極及第六MOS管的柵極連接,所述第三MOS管的漏極與所述第一三極管的基極、第二三極管的發射極連接,所述第四MOS管的漏極與所述第八MOS管的柵極及第一三極管的發射極連接,所述第五MOS管的漏極與源極互聯,所述第六MOS管的漏極與所述第八MOS管的源極及第七MOS管的源極連接,所述第七MOS管的漏極與所述第九MOS管的漏極和柵極、第十二MOS管的柵極連接,所述第七MOS管的柵極接第二基準電壓,所述第九MOS管的源極與所述第一三極管的集電極、第二三極管的基極和集電極、第十MOS管的源極、第十一MOS管的源極、第十二MOS管的源極連接,所述第八MOS管的漏極與所述第十MOS管的漏極和柵極、第十一MOS管的柵極連接,所述第十一MOS管的漏極與第十三MOS管的漏極和柵極、第十四MOS管的柵極連接,所述第十二MOS管的漏極與所述第十四MOS管的漏極連接并輸出至第一充電單元和第二充電單元。
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