[發明專利]一種陣列基板及其修復方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201911116223.3
• 申請日: 2019-11-15
• 公開（公告）號: CN110797354A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 鄭佩莎
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 44570 深圳紫藤知識產權代理有限公司
• 代理人: 唐秀萍

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括多個陣列排布的像素結構區，每個所述像素結構區形成有像素結構，所述像素結構區包括相鄰的薄膜晶體管區及像素區，所述像素結構包括依次層疊設置的公共電極層、薄膜晶體管、鈍化層及像素電極層；

其中，所述公共電極層包括本體部及延伸部，所述本體部形成于所述薄膜晶體管區，所述延伸部形成于所述像素區且與所述本體部隔斷設置，所述薄膜晶體管形成于所述薄膜晶體管區，所述鈍化層設有過孔，所述像素電極層形成于所述像素區并通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接，所述像素電極層在與所述本體部和所述延伸部的隔斷位置相應的位置形成有去除部，以使得所述像素電極層在所述相應的位置呈鏤空設置。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板、形成于所述襯底基板上的多條數據線及與所述多條數據線交叉排布的多條掃描線，所述多條數據線與所述多條掃描線定義形成所述多個像素結構區。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的源極與所述數據線連接，所述薄膜晶體管的柵極與所述掃描線連接。

4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素結構還包括緩沖層，所述緩沖層形成于所述襯底基板上且覆蓋所述公共電極層，所述薄膜晶體管形成于所述緩沖層上。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述延伸部的數量為多個，所述多個延伸部與所述本體部隔斷設置。

6.一種陣列基板的修復方法，其特征在于，所述修復方法包括：

提供一陣列基板，所述陣列基板包括多個陣列排布的像素結構區，每個所述像素結構區形成有像素結構，所述像素結構區包括相鄰的薄膜晶體管區及像素區，所述像素結構包括依次層疊設置的公共電極層、薄膜晶體管、鈍化層及像素電極層，所述公共電極層包括一體設置的本體部及延伸部，所述本體部形成于所述薄膜晶體管區，所述延伸部形成于所述像素區，所述薄膜晶體管形成于所述薄膜晶體管區，所述鈍化層包括過孔位置，所述像素電極層形成于所述像素區；

檢測所述過孔位置是否發生異常；

若所述過孔位置發生異常，則切斷所述本體部及所述延伸部，以使得所述本體部與所述延伸部呈隔斷設置；

去除所述像素電極層與所述本體部和所述延伸部的隔斷位置相應的位置，以使得所述像素電極層在所述相應的位置呈鏤空設置。

7.根據權利要去6所述的修復方法，其特征在于，所述檢測所述過孔位置是否發生異常的步驟包括：

獲取所述像素結構區的電壓值；

判斷所述電壓值是否在預設電壓范圍內，以確定在所述過孔位置是否形成尺寸大于或等于閾值的過孔；

若是，則檢測所述過孔是否存在黑點。

8.根據權利要去7所述的修復方法，其特征在于，所述切斷所述本體部及所述延伸部，以使得所述本體部與所述延伸部呈隔斷設置的步驟之前還包括：

若所述電壓值不在預設電壓范圍內，則在所述過孔位置形成大于或等于所述閾值的過孔，并填充所述過孔，以使得所述像素電極層通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。

9.根據權利要去7所述的修復方法，其特征在于，所述預設電壓范圍為10V-20V。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求1-5中任一項所述的陣列基板。