[發明專利]焊墊結構及半導體結構的制備方法有效
| 申請號： | 201911112907.6 | 申請日： | 2019-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN110970313B | 公開（公告）日： | 2021-05-07 |
| 發明（設計）人： | 王永慶;陳赫;董金文;伍術;華子群;胡玉芬 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陳敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 結構 半導體 制備 方法 | ||
1.一種焊墊結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法至少包括如下步驟：
于金屬層間介質層上依次形成粘接層、焊墊金屬層、抗反射層及光刻膠層，其中，所述金屬層間介質層包含密封環及接觸窗，所述密封環貫穿所述金屬層間介質層并延伸至器件結構的半導體襯底中，所述接觸窗與所述器件結構電連接；
圖形化所述光刻膠層，形成第一刻蝕窗口；
藉由所述第一刻蝕窗口，采用干法刻蝕依次去除所述抗反射層及所述焊墊金屬層，形成第二刻蝕窗口，以使干法刻蝕過程中產生的累積電荷通過所述粘接層進入所述密封環并通過所述半導體襯底釋放；
藉由所述第二刻蝕窗口，采用濕法刻蝕去除所述粘接層，形成第三刻蝕窗口，相鄰兩所述第三刻蝕窗口之間形成焊墊結構。
2.根據權利要求1所述的焊墊結構的制備方法，其特征在于：所述粘接層包括鈦，所述焊墊金屬層包括鋁，所述抗反射層包括氮化鈦。
3.根據權利要求2所述的焊墊結構的制備方法，其特征在于：所述粘接層的厚度介于之間，所述焊墊金屬層的厚度介于之間，所述抗反射層的厚度介于之間。
4.根據權利要求2所述的焊墊結構的制備方法，其特征在于：所述干法刻蝕采用的刻蝕氣體包括氯氣及氯化硼。
5.根據權利要求2所述的焊墊結構的制備方法，其特征在于：所述濕法刻蝕采用的刻蝕液包括H2SO4及H2O2。
6.根據權利要求1所述的焊墊結構的制備方法，其特征在于：所述金屬層間介質層包括氧化硅或氮化硅。
7.根據權利要求1所述的焊墊結構的制備方法，其特征在于，采用濕法刻蝕去除所述粘接層后還包括步驟：形成覆蓋所述抗反射層及所述第三刻蝕窗口的鈍化層并對所述鈍化層圖形化，以顯露所述焊墊結構。
8.根據權利要求1所述的焊墊結構的制備方法，其特征在于：所述器件結構包括3D存儲器件，所述3D存儲器件包括外圍電路和存儲單元陣列。
9.根據權利要求8所述的焊墊結構的制備方法，其特征在于，還包括：于不同的晶圓上形成所述外圍電路及所述存儲單元陣列，并通過鍵合的方式將所述外圍電路和所述存儲單元陣列連接在一起，且所述外圍電路布置于所述存儲單元陣列下方，所述焊墊結構布置于所述存儲單元陣列上方。
10.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法至少包括如下步驟：
在半導體襯底上形成依次疊置的器件結構層及焊墊結構，其中，所述焊墊結構采用如權利要求1～9中任意一項所述的焊墊結構的制備方法制得。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
