[發(fā)明專利]一種控制電磁加熱設(shè)備功率的方法及電磁加熱設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911112689.6
• 申請日: 2019-11-14
• 公開（公告）號: CN110958728B
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱澤春;徐肇松;張龍;張偉
• 申請（專利權(quán)）人: 九陽股份有限公司
• 主分類號: H05B6/06
• 分類號: H05B6/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請公開了一種控制電磁加熱設(shè)備功率的方法及電磁加熱設(shè)備，所述電磁加熱設(shè)備具有IGBT，所述方法包括：接收關(guān)機(jī)指令；確定所述電磁加熱設(shè)備的當(dāng)前功率；判斷所述當(dāng)前功率是否大于預(yù)設(shè)功率；若是，則降低所述當(dāng)前功率；所述降低所述當(dāng)前功率，包括：采集所述電磁加熱設(shè)備的當(dāng)前電流值；判斷所述當(dāng)前電流值是否大于預(yù)設(shè)電流值；若是，則降低所述當(dāng)前電流值，以使所述當(dāng)前功率降低。在關(guān)機(jī)時，若電磁設(shè)備的當(dāng)前功率較高，則直接關(guān)機(jī)容易導(dǎo)致IGBT的損壞。此時可以通過下調(diào)當(dāng)前功率后，再執(zhí)行關(guān)機(jī)程序，來減少IGBT損壞的概率，提高了設(shè)備的使用壽命，提升了用戶體驗。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及電磁加熱設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種控制電磁加熱設(shè)備功率的方法及電磁加熱設(shè)備。

背景技術(shù)

電磁加熱設(shè)備，指的是通過電磁感應(yīng)原理進(jìn)行加熱的設(shè)備，例如，電磁爐、電磁感應(yīng)加熱器等。電磁加熱設(shè)備中通常設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate BipolarTransistor，IGBT)，起到重要的功率開關(guān)作用以控制加熱。但是在電磁加熱設(shè)備的使用過程中，尤其是啟停功率階段，IGBT容易爆管損壞。

現(xiàn)有技術(shù)中，各廠商對IGBT的啟動功率的時序和開通寬度有嚴(yán)格的控制和標(biāo)準(zhǔn)，以減少電磁加熱設(shè)備啟動時IGBT損壞的概率。但是在關(guān)機(jī)時，卻沒有相應(yīng)的規(guī)定或要求，因此導(dǎo)致在關(guān)機(jī)時，IGBT的損壞率較高。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，本申請?zhí)岢隽艘环N控制電磁加熱設(shè)備功率的方法，所述電磁加熱設(shè)備具有IGBT，所述方法包括：接收關(guān)機(jī)指令；確定所述電磁加熱設(shè)備的當(dāng)前功率；判斷所述當(dāng)前功率是否大于預(yù)設(shè)功率；若是，則降低所述當(dāng)前功率；所述降低所述當(dāng)前功率，包括：采集所述電磁加熱設(shè)備的當(dāng)前電流值；判斷所述當(dāng)前電流值是否大于預(yù)設(shè)電流值；若是，則降低所述當(dāng)前電流值，以使所述當(dāng)前功率降低。

在一個示例中，所述電磁加熱設(shè)備還具有同步比較器，所述方法還包括：判斷所述當(dāng)前電流值小于所述預(yù)設(shè)電流值時，關(guān)斷所述IGBT，并關(guān)閉所述同步比較器。

在一個示例中，所述降低所述當(dāng)前功率，包括：通過多次的功率下調(diào)，使所述當(dāng)前功率降低至不大于所述預(yù)設(shè)功率。

在一個示例中，所述多次的功率下調(diào)包括：設(shè)定所述多次的功率下調(diào)之間的間隔時長T；每隔所述間隔時長T降低所述當(dāng)前電流值。

在一個示例中，所述間隔時長T不小于1ms且不大于100ms。

在一個示例中，所述電磁加熱設(shè)備還具有同步比較器，所述方法還包括：判斷所述當(dāng)前功率小于所述預(yù)設(shè)功率時，關(guān)斷所述IGBT，并關(guān)閉所述同步比較器。

在一個示例中，確定所述電磁加熱設(shè)備的當(dāng)前功率之后，所述方法還包括：確定所述當(dāng)前功率不小于2200W，或所述電磁加熱設(shè)備的當(dāng)前電壓值不小于245V。

在一個示例中，所述預(yù)設(shè)功率不小于900W且不大于1200W。

在一個示例中，所述預(yù)設(shè)電流值為接近于0的電流值。

另一方面，本申請還提出了一種電磁加熱設(shè)備，所述電磁加熱設(shè)備具有IGBT，以及功率控制裝置，所述功率控制裝置包括：接收模塊，接收關(guān)機(jī)指令；確定模塊，確定所述電磁加熱設(shè)備的當(dāng)前功率；判斷模塊，判斷所述當(dāng)前功率是否大于預(yù)設(shè)功率；處理模塊，當(dāng)所述判斷模塊的判斷結(jié)果為是時，則降低所述當(dāng)前功率；所述處理模塊，包括：采集所述電磁加熱設(shè)備的當(dāng)前電流值；判斷所述當(dāng)前電流值是否大于預(yù)設(shè)電流值；若是，則降低所述當(dāng)前電流值，以使所述當(dāng)前功率降低。

通過本申請?zhí)岢隹刂乒β实姆椒軌驇砣缦掠幸嫘Ч?/p>

1.在關(guān)機(jī)時，若電磁設(shè)備的當(dāng)前功率較高，則直接關(guān)機(jī)容易導(dǎo)致IGBT的損壞。此時可以通過下調(diào)當(dāng)前功率后，再執(zhí)行關(guān)機(jī)程序，來減少IGBT損壞的概率，提高了設(shè)備的使用壽命，提升了用戶體驗。