[發明專利]一種介質層的沉積方法

有效

• 申請號: 201911110095.1
• 申請日: 2019-11-13
• 公開（公告）號: CN110931422B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 王橋
• 申請（專利權）人: 陜西宇騰電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/02
• 代理公司: 北京華仁聯合知識產權代理有限公司 11588
• 代理人: 國紅

1.一種介質層的沉積方法，用于沉積介質層，其特征在于，所述介質層包括氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅的一種或多種，所述沉積方法包括：步驟1)提供半導體襯底，所述半導體襯底為表面形成有器件的晶圓；步驟2)通過可流動化學氣相沉積沉積第一層介質層，所述第一層介質層的厚度大于或等于器件高度的最大值Hmax，50nm≤Hmax≤100nm；步驟3)在Ar或He氣氛下退火，所述退火為快速光熱退火，退火溫度為950-1000℃，退火時間為30秒～500秒；步驟4)通過可流動化學氣相沉積沉積第二層介質層，所述第二層介質層的厚度為200～350nm；步驟5)在Ar或He氣氛下退火，所述退火為普通退火，退火溫度從室溫到800℃，升溫速率為50℃/小時；步驟6)通過可流動化學氣相沉積沉積第三層介質層，所述第三層介質層的厚度為300～550nm；步驟7)在Ar或He氣氛下退火，所述退火為普通退火，退火溫度800～850℃，退火時間為1-3個小時；步驟8)進行后續工藝步驟。

2.根據權利要求1介質層的沉積方法，其特征在于：所述晶圓上的器件具有孔和槽，所述孔和槽具有不同的深寬比。

3.根據權利要求1或2所述的沉積方法，其特征在于：孔的深寬比為10：1～15：1，槽的深寬比為2：1～5：1。

4.根據權利要求1或2所述的沉積方法，其特征在于：可流動化學氣相沉積沉積時的壓強為10～200torr。

5.根據權利要求1或2所述的沉積方法，其特征在于：可流動化學氣相沉積沉積氧化硅時的氧化氣體為臭氧、氧氣、水蒸氣或一氧化二氮。

6.根據權利要求1所述的沉積方法，其特征在于：可流動化學氣相沉積沉積氮氧化硅時的氧化氣體為臭氧、氧氣、水蒸氣或一氧化二氮，含氮氣體為氨氣。

7.根據權利要求1所述的沉積方法，其特征在于：可流動化學氣相沉積沉積碳氧化硅時的氧化氣體為臭氧、氧氣、水蒸氣或一氧化二氮，含碳氣體為甲烷。