[發(fā)明專利]一種多層復雜結構GaAs光電陰極

在審

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• 申請日: 2019-11-14
• 公開（公告）號: CN110797240A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發(fā)明（設計）人: 馮琤;宋宇飛;張益軍;劉健;趙靜;楊會軍;劉揚
• 申請（專利權）人: 南京工程學院
• 主分類號: H01J1/34
• 分類號: H01J1/34;H01J9/12
• 代理公司: 32300 南京源古知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 鄭宜梅

1.一種多層復雜結構GaAs光電陰極，其特征在于：所述GaAs光電陰極自下而上由n型GaAs襯底、p型摻雜Al_xGa_1-xAs緩沖層、p型指數摻雜的GaAs發(fā)射層組成。

2.根據權利要求1所述的一種多層復雜結構GaAs光電陰極，其特征在于：所述p型摻雜Al_xGa_1-xAs緩沖層包括GaAs/AlAs層；所述GaAs/AlAs層為由下至上的AlAs層與GaAs層組成；所述p型摻雜Ga_1-xAl_xAs緩沖層包括至少8個GaAs/AlAs層；所述p型摻雜Al_xGa_1-xAs緩沖層為布拉格反射結構。

3.根據權利要求2所述的一種多層復雜結構GaAs光電陰極，其特征在于：所述AlAs層厚度為45nm-55nm；所述GaAs層厚度為60nm-70nm；所述AlAs層與GaAs層均采用均勻p型Zn摻雜，其摻雜濃度為5×10¹⁸～1.0×10¹⁹cm^-3。

4.根據權利要求1所述的一種多層復雜結構GaAs光電陰極，其特征在于：所述p型指數摻雜的GaAs發(fā)射層為分層結構；包括至少4個單元分層；所述p型指數摻雜的GaAs發(fā)射層總厚度為500～1500nm；其中，靠近p型摻雜Ga_1-xAl_xAs緩沖層的單元分層為后界面處單元分層，摻雜Zn的濃度為1.0×10¹⁹cm^-3；靠近發(fā)射表面處的單元分層，其摻雜Zn的濃度為1.0×10¹⁸cm^-3；所述p型指數摻雜的GaAs發(fā)射層從后界面處單元分層到發(fā)射表面處的單元分層摻雜濃度按指數摻雜分布。