[發明專利]一種電平轉換芯片及顯示裝置

在審

• 申請號: 201911108614.0
• 申請日: 2019-11-13
• 公開（公告）號: CN110910844A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 李文芳;曹丹
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

本發明提供一種電平轉換芯片和顯示裝置，所述電平轉換芯片包括電平轉換模塊、過流保護模塊和控制模塊。所述控制模塊用于檢測所述電平轉換芯片當前是否處于防靜電測試模式，并在所述電平轉換芯片處于防靜電測試模式時，控制所述過流保護模塊停止工作。在所述電平轉換芯片處于非防靜電測試模式時，控制所述過流保護模塊正常工作。從而有效的避免了防靜電測試時，過流保護模塊受干擾而產生誤動作。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種電平轉換芯片及顯示裝置。

背景技術

利用陣列制程將柵極掃描驅動電路直接制作在薄膜晶體管陣列基板上(GateDriver on Array，GOA)來取代外接的柵極掃描驅動IC技術可以進一步降低生產成本。GOA電路中一般需要接入若干時鐘信號，以實現其柵極逐行掃描的功能。現有技術中，通常利用電平轉換芯片(level shifter IC)將初始的時鐘信號進行電平轉換后輸出至液晶顯示面板的GOA電路中。為了防止時鐘信號走線出現短路導致液晶顯示面板被燒壞，現有技術的電平轉換芯片一般具有過流保護(Over Current Protection，OCP)功能。但是防靜電(electrostatic discharge，ESD)測試時,過流保護模塊易受到干擾導致誤動作,發生濾波器管腳(pin)信號翻轉，導致液晶顯示面板黑屏。

因此，現有過流保護模塊誤動作的問題需要解決。

發明內容

本發明提供一種電平轉換芯片及顯示裝置，以緩解現有過流保護模塊誤動作的技術問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明實施例提供一種電平轉換芯片，其包括電平轉換模塊、過流保護模塊、控制模塊。所述過流保護模塊用于對所述電平轉換模塊進行過流保護。所述控制模塊用于檢測所述電平轉換芯片當前是否處于防靜電測試模式，并在所述電平轉換芯片處于防靜電測試模式時，控制所述過流保護模塊停止工作。

在本發明實施例提供的電平轉換芯片中，所述控制模塊包括第一比較器，所述第一比較器的第一輸入端接地，所述第一比較器的第二輸入端接第一參考電壓，所述第一比較器的輸出端接所述過流保護模塊的使能信號輸入端。

在本發明實施例提供的電平轉換芯片中，所述控制模塊包括第二比較器、第三比較器、第一電流源、第一開關管和電容。所述第二比較器的第一輸入端接地，所述第二比較器的第二輸入端接第二參考電壓，所述第二比較器的輸出端接所述第一開關管的控制端，以控制所述第一開關管的開關。所述第一開關管的輸入端接所述第一電流源，所述第一開關管的輸出端接所述電容的第一電極板。所述電容的第二電極板接地。所述第三比較器的第一輸入端接所述電容的第一電極板，所述第三比較器的第二輸入端接第三參考電壓，所述第三比較器的輸出端接所述過流保護模塊的使能信號輸入端。

在本發明實施例提供的電平轉換芯片中，所述第一開關管為N型場效應晶體管。

在本發明實施例提供的電平轉換芯片中，所述N型場效應晶體管的柵極連接所述第二比較器的輸出端，所述N型場效應晶體管的源極連接所述第一電流源，所述N型場效應晶體管的漏極連接所述電容。

在本發明實施例提供的電平轉換芯片中，所述控制模塊用于在檢測結果為處于防靜電測試模式時，輸出高電平使能信號，所述過流保護模塊在接收到所述高電平使能信號時停止工作。

在本發明實施例提供的電平轉換芯片中，所述控制模塊用于在檢測結果為處于防靜電測試模式時，輸出低電平使能信號，所述過流保護模塊在接收到所述低電平使能信號時停止工作。

在本發明實施例提供的電平轉換芯片中，所述控制模塊用于在在所述電平轉換芯片處于非防靜電測試模式時，控制所述過流保護模塊正常工作。