[發明專利]共享接觸孔及其刻蝕缺陷檢測方法在審
| 申請號： | 201911107360.0 | 申請日： | 2019-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN110854092A | 公開（公告）日： | 2020-02-28 |
| 發明（設計）人： | 潘逢佳;王愷 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 共享 接觸 及其 刻蝕 缺陷 檢測 方法 | ||
1.一種共享接觸孔，該共享接觸孔形成在半導體器件制造過程中用于共享接觸孔刻蝕缺陷檢測，其特征在于：該共享接觸孔形成于半導體器件襯底有源區上方，共享接觸孔與該半導體器件多晶硅柵之間采用絕緣介質線。
2.如權利要求1所述的共享接觸孔，其特征在于：所述絕緣介質線采用氮化硅形成。
3.如權利要求1所述的共享接觸孔，其特征在于：所述共享接觸孔采用鎢栓塞。
4.一種利用權利要求1-3任意一項所述共享接觸孔的共享接觸孔刻蝕缺陷檢測方法，其用于半導體器件制造過程中，其特征在于，包括：
S1，在半導體器件中形成所述共享接觸孔，共享接觸孔下方是該半導體器件有源區，共享接觸孔與該半導體器件多晶硅柵之間電性隔離；
S2，對共享接觸孔進行電子束掃描缺陷檢測的電壓襯度模式檢測判斷是否存在刻蝕缺陷。
5.如權利要求4所述的共享接觸孔刻蝕缺陷檢測方法，其特征在于：實施步驟S2時,判斷所述共享接觸孔底部的電壓襯度信號是否為明場，若電壓襯度信號為暗場則存在刻蝕缺陷，若電壓襯度信號為明場則不存在刻蝕缺陷。
6.如權利要求4所述的共享接觸孔刻蝕缺陷檢測方法，其特征在于：實施步驟S2時,在共享接觸孔完成栓塞化學機械研磨后在缺陷檢測站點進行電子束掃描缺陷檢測的電壓襯度模式檢測。
7.如權利要求6所述的共享接觸孔刻蝕缺陷檢測方法，其特征在于：共享接觸孔采用鎢栓塞化學機械研磨。
8.如權利要求4所述的共享接觸孔刻蝕缺陷檢測方法，其特征在于：共享接觸孔與該半導體器件多晶硅柵之間采用絕緣介質電性隔離。
9.如權利要求8所述的共享接觸孔刻蝕缺陷檢測方法，其特征在于：所述絕緣介質是氮化硅。
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