[發明專利]氮化銅薄膜太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201911106109.2
• 申請日: 2019-11-13
• 公開（公告）號: CN111009589A
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 黃仕華;康橋;李林華;李興達;陳達
• 申請（專利權）人: 浙江師范大學
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/032;H01L31/18;C23C14/06;C23C14/04;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/54
• 代理公司: 杭州之江專利事務所(普通合伙) 33216
• 代理人: 朱楓

1.氮化銅薄膜太陽能電池，其特征在于：自下而上包括如下結構：ITO玻璃\鎂摻雜氮化銅薄膜\組分漸變氮化銅薄膜\硒摻雜氮化銅薄膜\ITO薄膜\銀電極，其中組分漸變氮化銅薄膜中，氮的含量自下而上逐漸變大。

2.如權利要求1所述的氮化銅薄膜太陽能電池，其特征在于：所述的組分漸變氮化銅薄膜的厚度為500nm，分為10層，每層50nm，氮的含量自下而上逐漸變大。

3.權利要求1所述的氮化銅薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)ITO玻璃襯底清洗吹干后放入濺射腔室內，玻璃基片的溫度為80～110℃，通入氮氣，氮氣與氬氣的流量比為1:1，氬氣流速控制為10sccm，濺射腔壓強為0.8Pa；銅靶的濺射功率固定為250W，鎂靶的濺射功率為10～15W；至薄膜厚度為30～50nm；

2)待玻璃基片的溫度降低到50～60℃以后，開始生長組分漸變氮化銅薄膜；濺射腔壓強恒定為0.8Pa，銅靶的濺射功率維持在60W；氬氣流速恒定為10sccm，氮氣與氬氣的流量比開始為1，每沉積50nm薄膜后改變一次氮氣與氬氣流量比，從1.2、1.5、1.9、2.5、3.3、4.2、5.2、6.3依次變化到7.5，以獲得組分漸變的氮化銅薄膜；

3)玻璃基片溫度上升至150～180℃，然后開始生長硒摻雜氮化銅薄膜；氮氣與氬氣的流量比為1:1，氬氣流速控制為10sccm，濺射腔壓強為0.8Pa；銅靶的濺射功率固定為250W，硒靶的濺射功率為10～15W，至薄膜厚度為20～30nm；

4)硒摻雜氮化銅薄膜生長結束以后，生長ITO薄膜；玻璃基片的溫度為200℃，濺射工作氣體為氬氣，流量為30sccm，濺射腔壓強為0.8Pa；ITO靶的濺射功率為80W，ITO薄膜的生長厚度為80nm；

5)ITO生長結束后，從濺射腔取出樣品，在表面放置掩膜板，利用真空蒸鍍儀蒸鍍500nm的叉指狀銀電極。