[發(fā)明專利]一種消除有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光響應(yīng)的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911105779.2
• 申請(qǐng)日: 2019-11-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110854268B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江浪;江龍峰;劉潔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所
• 主分類號(hào): H01L51/05
• 分類號(hào): H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 關(guān)暢

1.一種消除有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光響應(yīng)的方法，包括：

1)將柵電極清洗吹干；

2)在步驟1)處理后的柵電極上制備高分子絕緣層；

所述步驟2)中，構(gòu)成所述高分子絕緣層的材料為低缺陷材料，選自CYTOP、BCB、PMMA、PS、PSS、PI、perylene和PVA中至少一種；

3)在步驟2)所得高分子絕緣層上制備活性半導(dǎo)體層或采用物理轉(zhuǎn)移的方法將制得的活性半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)移到步驟2)所得高分子絕緣層上；

所述活性半導(dǎo)體層為單晶；

4)在所述活性半導(dǎo)體層上制備源電極和漏電極，完成所述有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管光響應(yīng)的消除。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1)清洗步驟中，所用清洗劑選自去離子水、濃硫酸、雙氧水和有機(jī)溶劑中的至少一種；所述有機(jī)溶劑具體選自丙酮和異丙醇中至少一種；所述清洗具體為依次用去離子水、丙酮和異丙醇進(jìn)行清洗；清洗的方式具體為超聲清洗；

所述吹干為氮?dú)獯蹈伞?/p>

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述方法還包括：在所述步驟1)之前在基底上制備柵電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟2)中，

制備高分子絕緣層的步驟包括旋涂和退火；

所述高分子絕緣層的厚度為20-500nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟3)中，構(gòu)成所述活性半導(dǎo)體層的材料選自并苯類、酞菁類、卟啉類、苯并噻吩類和苝酰亞胺類化合物中至少一種；

制備所述活性半導(dǎo)體層的方法為蒸鍍法、旋涂法、物理氣相沉積法或溶液法；

所述活性半導(dǎo)體層的厚度為20-100nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：所述并苯類選自并五苯、并四苯、紅熒烯、2，6-二苯基蒽和2，6-二苯乙烯基蒽中至少一種；所述酞菁類選自酞菁銅，全氟酞菁銅，酞菁鋅，酞菁氧鈦中至少一種；所述卟啉類選自苯并卟啉、金屬取代苯并卟啉、烷基取代卟啉、芳炔基取代卟啉及鋅取代的芳炔基取代卟啉中至少一種；

所述溶液法為滴注法、提拉法或剪切法；

所述活性半導(dǎo)體層的厚度為25nm。

7.權(quán)利要求1-6任一所述方法在制備具有光穩(wěn)定性的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管、有源矩陣發(fā)光二極管陣列、有機(jī)邏輯電路和大規(guī)模集成電路中至少一種中的應(yīng)用。