[發明專利]一種用于功率器件封裝的多尺度Cu@Ag微納米復合釬料及制備方法

在審

• 申請號: 201911105304.3
• 申請日: 2019-11-13
• 公開（公告）號: CN110814569A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 劉洋;馬文友;李科;李世朕;肖男;孫鳳蓮
• 申請（專利權）人: 哈爾濱理工大學
• 主分類號: B23K35/02
• 分類號: B23K35/02;B23K35/362
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于功率器件封裝的多尺度Cu@Ag微納米復合釬料及制備方法，其特征在于：所述復合釬料為焊膏形式，包括所述多尺度Cu@Ag包覆材料構成的混合粉末和助焊劑，所述混合粉末質量分數為70%~80%，所述助焊劑質量分數為20%~30%。

2.根據權力要求1所述的一種用于功率器件封裝的多尺度Cu@Ag微納米復合釬料及制備方法，其特征在于：所述多尺度包覆材料為平均粒徑50nm、5μm、20μm的Cu@Ag核殼包覆顆粒。

3.根據權力要求2所述的一種用于功率器件封裝的多尺度Cu@Ag微納米復合釬料及制備方法，其特征在于：所述平均粒徑50nm的顆粒粒徑范圍是30~70nm，所述平均粒徑5μm的顆粒粒徑范圍是3~7μm，所述平均粒徑20μm的顆粒粒徑范圍是15~25μm。

4.根據權力要求2所述的一種用于功率器件封裝的多尺度Cu@Ag微納米復合釬料及制備方法，其特征在于：所述三種粒徑的質量比為依據Dinger-Funk球形顆粒密堆理論與對照實驗結果相結合而確定。

5.根據權利要求2所述的一種用于功率器件封裝的多尺度Cu@Ag微納米復合釬料及制備方法，其特征在于：三種尺度包覆顆粒構成的混合粉末中，所述平均粒徑50nm顆粒質量分數為60%，所述平均粒徑5μm顆粒質量分數為5%~15%，所述平均粒徑20μm顆粒質量分數為25%~35%。

6.根據權力要求2所述的一種用于功率器件封裝的多尺度Cu@Ag微納米復合釬料及制備方法，其特征在于：所述Cu@Ag核殼包覆顆粒通過液相還原法制得。

7.根據權力要求1所述的一種用于功率器件封裝的多尺度Cu@Ag微納米復合釬料及制備方法，其特征在于：所述助焊劑包括活性劑、成膜劑、觸變劑、調節劑、表面活性劑、緩蝕劑和其余溶劑。

8.根據權力要求1所述的一種用于功率器件封裝的多尺度Cu@Ag微納米復合釬料及制備方法，其特征在于：所述多尺度Cu@Ag微納米復合釬料制備步驟為：

（1）利用液相還原法制備，以平均粒徑50nm、5μm、20μm的銅粉制備納米級與微米級Cu@Ag核殼包覆顆粒；

（2）按質量比稱取所需三種尺度的Cu@Ag包覆顆粒粉末，將其進行機械攪拌20~30min，使三種尺度的包覆顆粒粉末充分混合獲得混合粉末；

（3）將所述混合粉末與所述助焊劑混合，置于恒溫恒速磁力攪拌器中攪拌35~45min，室溫下靜置40~60min，最終得到多尺度Cu@Ag微納米復合釬料。