[發(fā)明專利]存儲器控制器、操作存儲器控制器的方法和存儲器系統(tǒng)

在審

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• 申請日: 2019-11-13
• 公開（公告）號: CN111198657A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳銀珠;金暎植;南喜鉉;李永根;趙永進
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/10;G06F11/14;G11C13/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;王兆賡

提供存儲器控制器、操作存儲器控制器的方法和存儲器系統(tǒng)。所述存儲器系統(tǒng)包括：存儲器裝置，包括構(gòu)成多個子集的多個存儲器單元；以及存儲器控制器，用于控制存儲器裝置。存儲器控制器控制存儲器裝置，以管理指示由存儲器裝置針對所述多個子集中的每個子集執(zhí)行的讀取操作的數(shù)量的讀取計數(shù)，并且基于與所述多個子集之中的子集對應(yīng)的讀取計數(shù)對所述子集執(zhí)行恢復(fù)操作。所述多個子集中的每個子集包括多個頁。所述多個頁中的每個頁是在所述多個存儲器單元中執(zhí)行讀取操作的單位。

本申請基于并要求于2018年11月16日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2018-0141955號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，所述韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

公開涉及存儲器控制器和存儲器系統(tǒng)，更具體地，涉及執(zhí)行恢復(fù)操作的存儲器控制器、操作該存儲器控制器的方法以及包括該存儲器控制器的存儲器系統(tǒng)。

背景技術(shù)

作為非易失性存儲器裝置，電阻式存儲器裝置(諸如，相變RAM(PRAM)、電阻式RAM(RRAM)和磁性RAM(MRAM))使用通過電阻狀態(tài)的變化存儲數(shù)據(jù)的可變電阻元件作為存儲器單元。構(gòu)成電阻式存儲器裝置的材料的共性是電阻值根據(jù)電流或電壓的大小和/或方向而變化，并且具有即使在電流或電壓被切斷時也保持電阻值的非易失性特性。

在這種情況下，包括在電阻式存儲器裝置中的電阻式存儲器單元的電阻根據(jù)施加到另一存儲器單元的電壓而變化。隨著電阻變化，數(shù)據(jù)的可靠性可能無法被確保或者存儲器單元本身可能劣化。

發(fā)明內(nèi)容

公開提供一種以子集為單位管理存儲器單元的讀取操作的數(shù)量從而保持存儲器單元的電阻分布的存儲器控制器。

根據(jù)公開的一個方面，提供一種存儲器系統(tǒng)，所述存儲器系統(tǒng)包括：存儲器裝置，包括：構(gòu)成多個子集的多個存儲器單元；以及存儲器控制器，被配置為：管理指示由存儲器裝置在所述多個子集中的每個子集中執(zhí)行的讀取操作的數(shù)量的讀取計數(shù)，以及基于與所述多個子集之中的子集對應(yīng)的讀取計數(shù)，對所述子集執(zhí)行恢復(fù)操作，其中，所述多個子集中的每個子集包括多個頁，以及其中，所述多個頁中的每個頁是在所述多個存儲器單元中執(zhí)行讀取操作的單位。

根據(jù)公開的另一方面，提供一種操作用于控制存儲器裝置的操作的存儲器控制器的方法，其中，存儲器裝置包括構(gòu)成多個子集的多個存儲器單元，所述方法包括：將讀取命令發(fā)送至存儲器裝置；增加所述多個子集之中的與讀取命令對應(yīng)的子集的讀取計數(shù)；以及基于與所述子集對應(yīng)的讀取計數(shù)，對所述子集執(zhí)行恢復(fù)操作，其中，所述子集包括多個頁，以及其中，所述多個頁中的每個頁是在所述多個存儲器單元中執(zhí)行讀取操作的單位。

根據(jù)公開的另一方面，提供一種用于控制存儲器裝置的存儲器控制器，其中，存儲器裝置包括構(gòu)成多個子集的多個存儲器單元，所述存儲器控制器包括：存儲器，被配置為：存儲一條或多條指令；以及至少一個處理器，被配置為：執(zhí)行所述一條或多條指令，以管理指示針對所述多個子集中的每個子集發(fā)送至存儲器裝置的讀取命令的數(shù)量的讀取計數(shù)，針對所述多個子集之中的子集，確定讀取計數(shù)是否達到第一參考值，以及基于讀取計數(shù)達到第一參考值的確定的結(jié)果，輸出針對與讀取計數(shù)對應(yīng)的子集執(zhí)行恢復(fù)操作的指令，其中，所述多個子集中的每個子集包括多個頁，以及其中，所述多個頁中的每個頁是在所述多個存儲器單元中執(zhí)行讀取操作的單位。

附圖說明

從下面結(jié)合附圖的詳細描述，公開的實施例將被更清楚地理解，其中：

圖1是示出根據(jù)公開的示例實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖；

圖2是示出包括在圖1的存儲器系統(tǒng)中的存儲器控制器的框圖；

圖3是示出包括在圖1的存儲器系統(tǒng)中的存儲器裝置的框圖；

圖4是示出圖3的存儲器單元陣列的實施示例的框圖；

圖5是示出圖4的一個存儲器區(qū)塊的示例實施例的電路圖；