[發明專利]碳化硅緩沖層電阻率的測試方法

在審

• 申請號: 201911101363.3
• 申請日: 2019-11-12
• 公開（公告）號: CN110797256A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 趙麗霞;楊龍;吳會旺
• 申請（專利權）人: 河北普興電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/66
• 代理公司: 13120 石家莊國為知識產權事務所
• 代理人: 秦敏華

1.一種碳化硅緩沖層電阻率的測試方法，其特征在于，包括：

在碳化硅襯底上的預設位置測量所述碳化硅襯底的厚度，獲得第一厚度；

在與所述預設位置一致的位置分別測量碳化硅片的厚度以及碳化硅片的電阻，獲得第二厚度以及方塊電阻，所述碳化硅片為在所述碳化硅襯底上生長緩沖層獲得的樣品；

根據所述碳化硅襯底的厚度、所述碳化硅片的厚度以及所述方塊電阻，計算獲得所述緩沖層的電阻率。

2.如權利要求1所述的碳化硅緩沖層電阻率的測試方法，其特征在于，所述碳化硅襯底為半絕緣襯底或者輕摻雜襯底。

3.如權利要求2所述的碳化硅緩沖層電阻率的測試方法，其特征在于，

所述半絕緣襯底的電阻率為大于10⁵Ω.cm；

所述輕摻雜襯底的摻雜濃度為小于5E13cm^-3。

4.如權利要求1或2所述的碳化硅緩沖層電阻率的測試方法，其特征在于，在所述在與所述預設位置一致的位置分別測量碳化硅片的厚度以及碳化硅片方塊電阻之前，還包括：

采用化學氣相沉積的方法，在所述碳化硅襯底上生長緩沖層，獲得碳化硅片。

5.如權利要求1或2所述的碳化硅緩沖層電阻率的測試方法，其特征在于，在所述在與所述預設位置一致的位置分別測量碳化硅片的厚度以及碳化硅片方塊電阻之前，還包括：

在所述碳化硅襯底上生長電阻率小于0.034Ω.cm的緩沖層，獲得碳化硅片。

6.如權利要求1所述的碳化硅緩沖層電阻率的測試方法，其特征在于，所述在碳化硅襯底上的預設位置測量所述碳化硅襯底的厚度，獲得第一厚度，包括：

利用平整度測試儀采用光干涉法在選取的碳化硅襯底表面的預設位置測量所述碳化硅襯底的厚度，獲得第一厚度；

所述在與所述預設位置一致的位置測量碳化硅片的厚度，獲得第二厚度，包括：

利用平整度測試儀采用光干涉法在在與所述預設位置一致的位置測量碳化硅片的厚度，獲得第二厚度。

7.如權利要求1所述的碳化硅緩沖層電阻率的測試方法，其特征在于，所述在與所述預設位置一致的位置測量碳化硅片的電阻，包括：

采用無接觸式四探針電阻率測試儀在與所述預設位置一致的位置測量碳化硅片的電阻。

8.如權利要求1所述的碳化硅緩沖層電阻率的測試方法，其特征在于，所述根據所述碳化硅襯底的厚度、所述碳化硅片的厚度以及所述方塊電阻，計算獲得所述緩沖層的電阻率，包括：

根據ρ＝R*(H₁-H₂)計算獲得所述緩沖層的電阻率；

其中，ρ表示所述緩沖層的電阻率，R表示所述方塊電阻，H₁表示所述碳化硅襯底的厚度，H₂表示所述碳化硅片的厚度。

9.如權利要求1所述的碳化硅緩沖層電阻率的測試方法，其特征在于，所述根據所述碳化硅襯底的厚度、所述碳化硅片的厚度以及所述方塊電阻，計算獲得所述緩沖層的電阻率，包括：

根據所述碳化硅襯底的厚度以及所述碳化硅片的厚度，計算所述緩沖層的厚度；

根據所述緩沖層的厚度以及所述方塊電阻，計算獲得所述緩沖層的電阻率。

10.如權利要求9所述的碳化硅緩沖層電阻率的測試方法，其特征在于，所述根據所述緩沖層的厚度以及所述方塊電阻，計算獲得所述緩沖層的電阻率，包括：

根據ρ＝R*H計算獲得所述緩沖層的電阻率；

其中，H表示所述緩沖層的厚度。