[發(fā)明專利]磁存儲器件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201911099462.2
• 申請日: 2019-11-12
• 公開（公告）號: CN111223985A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧恩仙;金柱顯;金晥均
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01L27/22
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種磁存儲器件，包括：

在基板上的磁隧道結(jié)圖案，所述磁隧道結(jié)圖案包括順序地堆疊的自由層、隧道勢壘層和被釘扎層；和

第一自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)線，與所述自由層的第一側(cè)壁接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其中所述第一SOT線包括鉑(Pt)、鎢(W)、鉭(Ta)、BiSb和BiSe中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其中所述第一SOT線與所述隧道勢壘層間隔開。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁存儲器件，其中所述第一SOT線的底表面與所述磁隧道結(jié)圖案的底表面共平面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，還包括：

在所述第一SOT線上的間隔物，所述間隔物與所述被釘扎層的側(cè)壁和所述隧道勢壘層的側(cè)壁接觸，

其中所述間隔物的底表面的寬度等于所述第一SOT線的頂表面的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁存儲器件，其中所述第一SOT線與所述間隔物間隔開。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁存儲器件，其中所述間隔物覆蓋所述自由層的所述第一側(cè)壁的一部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁存儲器件，其中所述間隔物包括第一子間隔物和第二子間隔物，該第一子間隔物包括第一材料，該第二子間隔物包括第二材料，其中所述第一材料與所述第二材料不同。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁存儲器件，其中所述間隔物的頂表面與所述磁隧道結(jié)圖案的頂表面共平面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，其中

所述第一SOT線具有第一厚度，并且

所述自由層具有大于所述第一厚度的第二厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，還包括：

接觸插塞，在所述磁隧道結(jié)圖案與所述基板之間，

其中所述第一SOT線與所述接觸插塞間隔開。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁存儲器件，還包括：

第二自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)線，與所述自由層的第二側(cè)壁接觸，該第二側(cè)壁與所述第一側(cè)壁相反。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁存儲器件，其中所述第一SOT線與所述第二SOT線間隔開。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁存儲器件，其中

第一電流流過所述第一SOT線，所述第一電流具有第一方向，并且

第二電流流過所述第二SOT線，所述第二電流具有第二方向，其中所述第一方向與所述第二方向相反。

15.一種磁存儲器件，包括：

在基板上的磁隧道結(jié)圖案，所述磁隧道結(jié)圖案包括順序地堆疊的自由層、隧道勢壘層和被釘扎層；

第一自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)線，與所述自由層的第一側(cè)壁接觸；以及

第二自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)線，與所述自由層的第二側(cè)壁接觸，該第二側(cè)壁與所述第一側(cè)壁相反。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁存儲器件，其中所述第一SOT線和所述第二SOT線與所述隧道勢壘層間隔開。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁存儲器件，還包括：

在所述第一SOT線上的間隔物，所述間隔物與所述被釘扎層的側(cè)壁和所述隧道勢壘層的側(cè)壁接觸，

其中所述間隔物的底表面的寬度等于所述第一SOT線的頂表面的寬度。