[發明專利]高壓垂直功率部件有效
| 申請號： | 201911099089.0 | 申請日： | 2014-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN110676310B | 公開（公告）日： | 2023-05-16 |
| 發明（設計）人： | S·梅納德;G·戈蒂埃 | 申請（專利權）人： | 意法半導體(圖爾)公司;法國國立圖爾大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/747;H01L29/87 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高壓 垂直 功率 部件 | ||
1.一種垂直功率部件，包括：
第一導電類型的硅襯底；
第二導電類型的第一阱，在所述硅襯底的下表面上，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反；
在所述硅襯底中的第一絕緣多孔硅環，在所述垂直功率部件的外圍邊界處，所述第一絕緣多孔硅環與所述第一阱和所述硅襯底之間的第一PN結接觸；
其中所述第一絕緣多孔硅環穿入所述硅襯底中至大于所述第一阱的厚度的深度；
所述垂直功率部件還包括：
所述第二導電類型的第二阱，在所述硅襯底的、與所述下表面相對的上表面上；
在所述硅襯底中的第二絕緣多孔硅環，在所述部件的所述外圍邊界處，所述第二絕緣多孔硅環與所述第二阱和所述硅襯底之間的第二PN結接觸；
其中所述第二絕緣多孔硅環穿入所述硅襯底中至大于所述第二阱的厚度的深度；并且
其中所述第二絕緣多孔硅環的下表面僅與所述硅襯底接觸。
2.根據權利要求1所述的垂直功率部件，其中所述第二絕緣多孔硅環的側表面在所述第二PN結處與所述硅襯底和所述第二阱兩者接觸。
3.根據權利要求1所述的垂直功率部件，其中所述第一絕緣多孔硅環被氧化。
4.根據權利要求1所述的垂直功率部件，其中所述第一導電類型為N型，并且所述第二導電類型為P型。
5.根據權利要求1所述的垂直功率部件，形成三端雙向可控硅。
6.根據權利要求1所述的垂直功率部件，其中所述第一絕緣多孔硅環的側表面在所述第一PN結處與所述硅襯底和所述第一阱兩者接觸。
7.根據權利要求1所述的垂直功率部件，其中所述第一絕緣多孔硅環的上表面僅與所述硅襯底接觸。
8.一種垂直功率部件，包括：
硅襯底，由第一導電類型摻雜，并且具有上表面和與所述上表面相對的下表面；
第一阱，在所述硅襯底的所述下表面中，所述第一阱由第二導電類型摻雜，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反；
第二阱，在所述硅襯底的所述上表面中，所述第二阱由所述第二導電類型摻雜；
所述第一導電類型的第一重摻雜區域，在所述第一阱中；
所述第一導電類型的第二重摻雜區域，在所述第二阱中；
環區域，由所述第一導電類型重摻雜，所述環區域圍繞所述第二阱，但是與所述第二阱間隔開；以及
多孔硅絕緣環，圍繞PN結并且與所述PN結接觸，所述PN結存在于所述第一阱與所述硅襯底接觸處；
其中所述部件不具有所述第二導電類型的周圍擴散外圍壁。
9.根據權利要求8所述的垂直功率部件，其中所述多孔硅絕緣環的厚度比所述第一阱的厚度厚。
10.根據權利要求8所述的垂直功率部件，還包括：
在所述下表面上的第一電極，與所述第一阱和所述第一重摻雜區域接觸；以及
在所述上表面上的第二電極，與所述第二阱和所述第二重摻雜區域接觸。
11.一種垂直功率部件，包括：
硅襯底，由第一導電類型摻雜，并且具有上表面和與所述上表面相對的下表面；
第一阱，在所述襯底的所述下表面中，所述第一阱由第二導電類型摻雜，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反；
第二阱，在所述襯底的所述上表面中，所述第二阱由所述第二導電類型摻雜；
第一絕緣多孔硅環，圍繞所述第一阱并且與第一PN結接觸，所述第一PN結存在于所述硅襯底與所述第一阱彼此接觸處；以及
第二絕緣多孔硅環，圍繞所述第二阱并且與第二PN結接觸，所述第二PN結由所述硅襯底與所述第二阱彼此接觸形成；
其中所述部件不具有所述第二導電類型的周圍擴散外圍壁。
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