[發(fā)明專利]一種用于增材制造無損檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)試塊組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911098705.0
• 申請(qǐng)日: 2019-11-12
• 公開（公告）號(hào): CN110824021B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁書現(xiàn);陳懷東;吳金鋒;馬官兵;劉書紅;徐以凱;余哲;康志平;王韋強(qiáng);葉新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中廣核檢測(cè)技術(shù)有限公司;蘇州熱工研究院有限公司;中國廣核集團(tuán)有限公司;中國廣核電力股份有限公司
• 主分類號(hào): G01N29/30
• 分類號(hào): G01N29/30
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛(wèi)

本發(fā)明公開了一種用于增材制造無損檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)試塊組件，其包括用于為面積型的缺陷提供判定依據(jù)且采用直接能量沉積的方法打印的沉積面積缺陷試塊組、用于為面積型的缺陷提供判定依據(jù)且采用粉末床熔覆的方法打印的熔覆面積缺陷試塊組、用于為體積型的缺陷提供判定依據(jù)且采用直接能量沉積的方法打印的沉積體積缺陷試塊組、用于為體積型的缺陷提供判定依據(jù)且采用粉末床熔覆的方法打印的熔覆體積缺陷試塊組，本發(fā)明可彌補(bǔ)當(dāng)前增材制造方面檢出缺陷無檢測(cè)評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)，尤其是超聲波無損檢測(cè)方法；設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)參考反射體是針對(duì)增材制造過程中產(chǎn)生的常見微米量級(jí)尺寸缺陷。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于增材檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域，特別涉及一種用于增材制造無損檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)試塊組件。

背景技術(shù)

增材制造目前被越來越廣泛的運(yùn)用到各個(gè)領(lǐng)域，在增材制造完成后，需要對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行無損檢測(cè)，而當(dāng)前增材制造用超聲波無損檢測(cè)技術(shù)，暫無用于該項(xiàng)技術(shù)的檢測(cè)評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)，需要設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)試塊組件做為檢測(cè)評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種全面且準(zhǔn)確的用于增材制造無損檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)試塊組件。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：一種用于增材制造無損檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)試塊組件，其包括用于為面積型的缺陷提供判定依據(jù)且采用直接能量沉積的方法打印的沉積面積缺陷試塊組、用于為面積型的缺陷提供判定依據(jù)且采用粉末床熔覆的方法打印的熔覆面積缺陷試塊組、用于為體積型的缺陷提供判定依據(jù)且采用直接能量沉積的方法打印的沉積體積缺陷試塊組、用于為體積型的缺陷提供判定依據(jù)且采用粉末床熔覆的方法打印的熔覆體積缺陷試塊組，

所述沉積面積缺陷試塊組包括至少一個(gè)沉積面積缺陷試塊，每個(gè)所述沉積面積缺陷試塊上開設(shè)有多個(gè)反射槽，反射槽呈長(zhǎng)方體形，反射槽至少分為三組，三組反射槽分別為由單個(gè)反射槽組成的第一反射槽組、與所述第一反射槽組共線設(shè)置且由兩個(gè)所述反射槽組成的的第二反射槽組，與第一反射槽組相垂直設(shè)置且位于所述第一反射槽組和第二反射槽組之間的第三反射槽組，所述第三反射槽組包括兩個(gè)正對(duì)設(shè)置的反射槽；

所述熔覆面積缺陷試塊組包括至少一個(gè)熔覆面積缺陷試塊，每個(gè)所述熔覆面積缺陷試塊上開設(shè)有多個(gè)反射槽，反射槽呈長(zhǎng)方體形，反射槽至少分為三組，三組反射槽分別為由單個(gè)反射槽組成的第四反射槽組、與所述第四反射槽組共線設(shè)置且由兩個(gè)所述反射槽組成的的第五反射槽組，與第四反射槽組相垂直設(shè)置且位于所述第四反射槽組和第五反射槽組之間的第六反射槽組，所述第六反射槽組包括兩個(gè)正對(duì)設(shè)置的反射槽；

所述沉積體積缺陷試塊組包括至少一個(gè)沉積體積缺陷試塊，每個(gè)沉積體積缺陷試塊上開設(shè)有多個(gè)檢測(cè)孔，檢測(cè)孔至少分為四組，四組檢測(cè)孔分別為由單個(gè)檢測(cè)孔組成的第一檢測(cè)孔組、由兩個(gè)組成且圓心與所述第一檢測(cè)孔組的檢測(cè)孔的圓心共線的第二檢測(cè)孔組、由單個(gè)檢測(cè)孔組成的第三檢測(cè)孔組、由兩個(gè)組成且圓心與所述第三檢測(cè)孔組的檢測(cè)孔的圓心共線的第四檢測(cè)孔組，第一檢測(cè)孔組和第二檢測(cè)孔組的檢測(cè)孔直徑相同，第三檢測(cè)孔組和第四檢測(cè)孔組的檢測(cè)孔直徑相同且小于第二檢測(cè)孔組的檢測(cè)孔直徑，多個(gè)所述沉積體積缺陷試塊中，有一個(gè)所述沉積體積缺陷試塊上的檢測(cè)孔為貫通孔，有一個(gè)所述沉積體積缺陷試塊上的檢測(cè)孔為非貫穿通孔，

所述熔覆體積缺陷試塊組包括至少一個(gè)熔覆體積缺陷試塊，每個(gè)熔覆體積缺陷試塊上開設(shè)有多個(gè)檢測(cè)孔，檢測(cè)孔至少分為二組，二組檢測(cè)孔分別為由單個(gè)檢測(cè)孔組成的第五檢測(cè)孔組、由兩個(gè)組成且圓心共線的第六檢測(cè)孔組，多個(gè)所述沉積體積缺陷試塊中，有一個(gè)所述沉積體積缺陷試塊上的檢測(cè)孔為貫通孔，有一個(gè)所述沉積體積缺陷試塊上的檢測(cè)孔為非貫穿通孔。

優(yōu)化的，所述沉積面積缺陷試塊上反射槽的尺寸、間距范圍有兩種，分別為深度：80~120μm、寬度：80~120μm、長(zhǎng)度：100~4000μm、間距：80~120μm和深度：20~60μm、寬度：20~60μm；長(zhǎng)度：50~4000μm、間距：20~60μm，沉積面積缺陷試塊的厚度：1000~6000μm、寬度：10000~60000μm、長(zhǎng)度：10000~60000μm。