[發明專利]一種MOSFET電流檢測電路及方法

在審

• 申請號: 201911098413.7
• 申請日: 2019-11-12
• 公開（公告）號: CN110794194A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 黃明樂;鄭春芳
• 申請（專利權）人: 合肥仙湖半導體科技有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00;G01R19/32
• 代理公司: 11531 北京匯捷知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 張利

1.一種MOSFET電流檢測電路，其特征在于，包括功率開關管、檢測開關管、熱敏電阻、定值電阻和電壓檢測電路；所述功率開關管與所述檢測開關管同步開關，所述功率開關管開通時，所述檢測電路電壓與功率開關管DS端電壓相對應，進而得到功率開關管的電流。

2.根據權利要求1所述的MOSFET電流檢測電路，其特征在于：所述待檢測功率開關管與檢測開關管鏡像連接，所述熱敏電阻、定值電阻與所述檢測開關管串聯，所述熱敏電阻與待檢測開關管導通電阻隨溫度改變阻值變化相應變化，補償了待檢測開關管導通阻值的溫度特性。

3.根據權利要求2所述的MOSFET電流檢測電路，其特征在于：所述檢測開關管先串聯所述定值電阻再串聯熱敏電阻，所述電壓傳感器設于所述定值電阻與所述熱敏電阻之間。

4.根據權利要求3所述的MOSFET電流檢測方法，其特征在于：將各個元器件分別設定一個符號，該電路包括功率開關管Q4，導通阻值Ron，檢測開關管Q3，流過檢測開關管Q3的電流相比功率開關管Q4很小，且導通阻值Ron相比與之串聯的電阻極小，故檢測開關管Q3導通電阻引起的電壓降可忽略不計，熱敏電阻R3，定值電阻R2，電壓檢測Vs為熱敏電阻的電壓；

所述功率開關管Q4的電流計算方法為：Id＝Vd/Ron＝(R3+R2)*Vs/(R3*Ron)；

采用適當溫度系數的熱敏電阻R6使(R3+R2)/(R3*Ron)近似為常數，則檢測電流不受功率開關管Q4的導通電阻隨溫度變化的影響。

5.根據權利要求2所述的MOSFET電流檢測電路，其特征在于：所述檢測開關管先串聯所述熱敏電阻再串聯定值電阻，所述電壓傳感器設于所述熱敏電阻與所述定值電阻之間。

6.根據權利要求5所述的MOSFET電流檢測方法，其特征在于：將各個元器件分別設定一個符號，該電路包括功率開關管Q1，導通阻值Ron1，檢測開關管Q2，導通阻值Ron2，檢測開關管Q2導通電阻引起的電壓降可忽略不計，熱敏電阻R6，定值電阻R1，檢測電壓Vs為定值電阻R1的電壓；

所述功率開關管Q5的電流計算方式為：Id＝(R1+R6)*Vs/(R1*Ron)；

采用適當溫度系數的熱敏電阻R6使得(R1+R6)/(R1*Ron)隨溫度變化為近似為常數，則檢測電流不受功率開關管Q5的導通電阻隨溫度變化的影響。

7.根據權利要求2所述的MOSFET電流檢測電路，其特征在于：還包括第二定值電阻，所述檢測開關管先串聯所述定值電阻、熱敏電阻再串聯第二定值電阻，所述電壓傳感器設于所述定值電阻與所述熱敏電阻之間；

所述功率開關管Q7的電流計算方式為：Id＝(R7+R8+R9)*Vs/((R7+R9)*Ron)

采用適當溫度系數的熱敏電阻R7使得(R7+R8+R9)/((R7+R9)*Ron)隨溫度變化為近似為常數，則檢測電流不受功率開關管Q7的導通電阻隨溫度變化的影響。

8.根據權利要求2所述的MOSFET電流檢測電路，其特征在于：還包括第二熱敏電阻，所述檢測開關管先串聯所述熱敏電阻再串聯第二熱敏電阻，所述電壓傳感器設于所述熱敏電阻與所述第二熱敏電阻之間。

9.根據權利要求8所述的MOSFET電流檢測方法，其特征在于：將各個元器件分別設定一個符號，該電路包括功率開關管Q5，導通阻值Ron1，檢測開關管Q6，導通阻值Ron2，檢測開關管Q6導通電阻引起的電壓降可忽略不計，熱敏電阻R5，第二熱敏電阻R4，檢測電壓Vs為第二熱敏電阻R4的電壓；

所述功率開關管Q5的電流計算方法為：Id＝(R5+R4)*Vs/(R4*Ron)；

采用適當溫度系數的第二熱敏電阻R4使得(R5+R4)/(R4*Ron)隨溫度變化為近似為常數，則檢測電流不受功率開關管Q5的導通電阻隨溫度變化的影響。