[發明專利]晶圓架及具有晶圓架的垂直晶舟在審
| 申請號： | 201911097103.3 | 申請日： | 2019-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN112786500A | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 李殷廷;金成基;郭世根 | 申請（專利權）人： | 夏泰鑫半導體（青島）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭輝劍;龔慧惠 |
| 地址： | 266000 山東省青島市黃島區*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓架 具有 垂直 | ||
1.一種用于承載多個晶圓的晶圓架，其特征在于，所述晶圓架包括：
垂直支持構件；以及
多個晶圓支持臂，其延伸自所述垂直支持構件的側壁，每一晶圓支持臂包括支持本體與突出部，其特征在于，所述支持本體在所述垂直支持構件與所述突出部之間，所述支持本體與所述突出部的中心水平對齊，以及所述突出部的垂直長度小于所述支持本體的垂直長度。
2.如權利要求1所述的晶圓架，其特征在于，所述垂直支持構件的所述側壁與所述多個晶圓支持臂形成多個溝槽。
3.如權利要求2所述的晶圓架，其特征在于，所述支持本體的上端部分具有上部未接觸端與上部側端，所述支持本體的下端部分具有下部未接觸端與下部側端，以及所述上部未接觸端與所述下部未接觸端相互平行。
4.如權利要求3所述的晶圓架，其特征在于，所述支持本體的所述上部側端及所述下部側端與所述垂直支持構件的所述側壁相互垂直。
5.如權利要求4所述的晶圓架，其特征在于，所述突出部具有第一接觸端、第二接觸端以及頂端，所述第一接觸端與所述第二接觸端在所述突出部的相對側。
6.如權利要求5所述的晶圓架，其特征在于，所述支持本體的所述上部側端與所述突出部的所述第一接觸端互相垂直，所述支持本體的所述下部側端與所述突出部的所述第二接觸端互相垂直。
7.如權利要求6所述的晶圓架，其特征在于，所述第一接觸端以及所述第二接觸端的至少其中之一被配置以支持所述多個晶圓中的其中之一。
8.一種用于擴散制程的垂直晶舟，其特征在于，所述垂直晶舟包括：
多個權利要求1-7中任一項所述的晶圓架。
9.如權利要求8所述的垂直晶舟，其特征在于，所述垂直晶舟被配置以垂直放入垂直反應器。
10.如權利要求8所述的垂直晶舟，其特征在于，所述垂直晶舟進一步包括：
頂板塊；以及
底板塊，其特征在于，所述多個晶圓架被配置以連接所述頂板塊與所述底板塊。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
