[發明專利]一種磁控濺射鍍膜設備

有效

• 申請號: 201911094733.5
• 申請日: 2019-11-11
• 公開（公告）號: CN112779510B
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 佘鵬程;范江華;羅超;陳慶廣;龔俊
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十八研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008
• 代理人: 徐好

1.一種磁控濺射鍍膜設備，包括緩存腔(6)、傳送腔(7)、至少一個工藝腔(8)、以及設于緩存腔(6)和傳送腔(7)之間的過渡腔(1)，所述緩存腔(6)和所述傳送腔(7)內均設有傳片機械手(9)，其特征在于：所述過渡腔(1)內設有冷卻臺(2)以及與冷卻臺(2)同軸布置的雙層片架(3)，過渡腔(1)靠近緩存腔和傳送腔的側壁上均設有傳片通道(11)，所述傳片通道(11)的高度大于冷卻臺(2)臺面的高度，所述雙層片架(3)連接有升降驅動機構(4)，所述升降驅動機構(4)與所述過渡腔(1)之間密封配合，所述雙層片架(3)包括環形支架(31)、多個片托(32)以及多個安裝座(33)，所述環形支架(31)設于所述冷卻臺(2)外周，所述升降驅動機構(4)與環形支架(31)相連，多個所述安裝座(33)沿環形支架(31)的圓周方向布置，多個所述片托(32)一一對應的安裝于多個安裝座(33)上，片托(32)上設有上層水平承托部(321)和下層水平承托部(322)，所述冷卻臺(2)側壁上與片托(32)對應處設有避讓槽(21)，所述緩存腔(6)外掛有至少一個負載鎖腔(10)和至少一個輔助腔(20)。

2.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜設備，其特征在于：所述上層水平承托部(321)配設有上層傾斜引導部(323)，所述下層水平承托部(322)配設有下層傾斜引導部(324)。

3.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜設備，其特征在于：所述安裝座(33)上設有沿環形支架(31)徑向布置的滑槽(331)，所述片托(32)設于所述滑槽(331)內。

4.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜設備，其特征在于：所述過渡腔(1)內設有大圓弧部(12)、小圓弧部(13)、以及用于連接大圓弧部(12)和小圓弧部(13)的過渡部(14)，所述大圓弧部(12)和小圓弧部(13)相對布置，所述冷卻臺(2)位于大圓弧部(12)內，所述升降驅動機構(4)與雙層片架(3)位于小圓弧部(13)內的一側相連。

5.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜設備，其特征在于：所述過渡腔(1)上設有透明頂蓋(5)。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的磁控濺射鍍膜設備，其特征在于：所述緩存腔(6)、傳送腔(7)及工藝腔(8)的真空度依次提高，所述過渡腔(1)與所述緩存腔(6)為同一級別真空度。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的磁控濺射鍍膜設備，其特征在于：所述緩存腔(6)和傳送腔(7)為相互獨立結構，所述工藝腔(8)為外掛結構。

8.根據權利要求7所述的磁控濺射鍍膜設備，其特征在于：所述負載鎖腔(10)的真空度低于所述緩存腔(6)。