[發明專利]一種二次反應生長大面積單層或多層二碲化鉬結構的方法在審

申請號：	201911093705.1	申請日：	2019-11-11
公開（公告）號：	CN110923663A	公開（公告）日：	2020-03-27
發明（設計）人：	袁夢輝;陳鑫;孫艷;戴寧	申請（專利權）人：	中國科學院上海技術物理研究所
主分類號：	C23C16/30	分類號：	C23C16/30;C23C16/455
代理公司：	上海滬慧律師事務所 31311	代理人：	郭英
地址：	200083 ***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種二次反應生長大面積單層多層二碲化鉬結構方法
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【權利要求書】：

1.一種二次反應生長大面積單層或多層二碲化鉬結構的方法，其特征在于方法如下：

先用六羰基鉬和二乙基碲為前驅體，通過原子層沉積在襯底上沉積碲化鉬納米薄膜；再將沉積有碲化鉬納米薄膜的襯底以惰性氣體或氫氣為載氣與單質碲進行高溫二次反應，控制載氣流量在1-500立方厘米/秒，反應壓力在10-300托，反應溫度為600-1000℃，反應時間為10秒到10分鐘，在襯底上獲得大面積單層或多層二碲化鉬結構。

2.根據權利要求1所述的一種二次反應生長大面積單層或多層二碲化鉬結構的方法,其特征在于：步驟1中所述的的襯底為硅片、藍寶石片、石英片、三氧化二鋁或二氧化硅，襯底尺寸為1平方厘米到100平方厘米。

3.根據權利要求1所述的一種二次反應生長大面積單層或多層二碲化鉬結構的方法,其特征在于：步驟1中的所述原子層沉積碲化鉬納米薄膜的溫度為100℃到500℃，時間為10分鐘到10小時。

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