[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝

在審

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• 申請日: 2019-11-08
• 公開（公告）號: CN111341751A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸正鎬;金鐘潤;裵珉準(zhǔn)
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48;H01L25/18
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 李鑫

1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

重分配基底，具有被設(shè)置成彼此相對的第一表面與第二表面，且包括絕緣構(gòu)件、多個(gè)重分配層及重分配通孔，所述多個(gè)重分配層在所述絕緣構(gòu)件中設(shè)置在不同的水平層級上，所述重分配通孔對設(shè)置在鄰近的水平層級上的所述重分配層進(jìn)行連接且具有在第一方向上從所述第二表面朝所述第一表面變窄的形狀；

多個(gè)球下金屬層，所述多個(gè)球下金屬層中的每一者包括球下金屬焊盤及球下金屬通孔，所述球下金屬焊盤設(shè)置在所述重分配基底的所述第一表面上，所述球下金屬通孔連接到所述多個(gè)重分配層中與所述第一表面相鄰的重分配層且連接到所述球下金屬焊盤，并且所述球下金屬通孔具有在與所述第一方向相反的第二方向上變窄的形狀；以及

至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述重分配基底的所述第二表面上，且具有多個(gè)接觸焊盤，所述多個(gè)接觸焊盤電連接到所述多個(gè)重分配層中與所述第二表面相鄰的重分配層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，

其中所述重分配基底還包括設(shè)置在所述第二表面上的多個(gè)接合焊盤，所述多個(gè)接合焊盤中的每一者連接到所述多個(gè)接觸焊盤中的對應(yīng)的一者，

其中所述多個(gè)接合焊盤中的每一者具有通孔部分，所述通孔部分局部地穿過所述絕緣構(gòu)件且連接到所述多個(gè)重分配層中與所述第二表面相鄰的所述重分配層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述通孔部分具有在所述第一方向上變窄的形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述絕緣構(gòu)件具有多個(gè)孔以暴露出與所述第二表面相鄰的所述重分配層的部分，且所述多個(gè)接觸焊盤經(jīng)由所述多個(gè)孔分別連接到與所述第二表面相鄰的所述重分配層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述絕緣構(gòu)件包含感光性絕緣材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述球下金屬焊盤具有沿著所述絕緣構(gòu)件的位于所述重分配基底的所述第一表面上的表面延伸的部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：

鈍化層，設(shè)置在所述重分配基底的所述第一表面上且暴露出所述多個(gè)球下金屬層的至少部分；以及

多個(gè)外部連接件，分別設(shè)置在所述多個(gè)球下金屬層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述鈍化層包含感光性絕緣材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述鈍化層包含與所述絕緣構(gòu)件的材料不同的絕緣材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述多個(gè)球下金屬層中的每一者具有比與所述第一表面相鄰的所述重分配層的厚度大的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：

模制部分，設(shè)置在所述重分配基底的所述第二表面上且覆蓋所述至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片。