[發明專利]一種抑制二氧化硅蝕刻的磷酸蝕刻液在審
| 申請號: | 201911088527.3 | 申請日: | 2019-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN110804441A | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發明(設計)人: | 李少平;張庭;郝曉斌;賀兆波;馮凱;王書萍;尹印;萬楊陽;張演哲 | 申請(專利權)人: | 湖北興福電子材料有限公司 |
| 主分類號: | C09K13/06 | 分類號: | C09K13/06 |
| 代理公司: | 宜昌市三峽專利事務所 42103 | 代理人: | 成鋼 |
| 地址: | 443007 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 抑制 二氧化硅 蝕刻 磷酸 | ||
1.一種抑制二氧化硅蝕刻的磷酸蝕刻液,其特征在于,所述蝕刻液成分包括占蝕刻液總重量≥97%的磷酸、0.01-2%的硅化物、0.001-1%的添加劑;所述的硅化物包括含硅無機物和/或含硅有機物。
2.根據權利要求1所述的抑制二氧化硅蝕刻的磷酸蝕刻液,其特征在于,所述蝕刻液中磷酸的濃度為85%。
3.根據權利要求1所述的抑制二氧化硅蝕刻的磷酸蝕刻液,其特征在于,所述的硅化物中的含硅無機物包括二氧化硅粉末、白炭黑、硅酸鈉、四氯化硅等中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的抑制二氧化硅蝕刻的磷酸蝕刻液,其特征在于,所述的硅化物中的含硅有機物包括硅酸四乙酯、正硅酸丁酯、三甲基氯硅烷、二甲基二氯硅烷、丙基三氯硅烷、四甲氧基硅烷等中的至少一種。
5.根據權利要求3或4所述的抑制二氧化硅蝕刻的磷酸蝕刻液,其特征在于,所述的硅化物含量優選0.05-0.5%,其中硅化物為含硅無機物和含硅有機物的混合物時,含硅無機物和含硅有機物的質量比為0.1-3 : 1。
6.根據權利要求1所述的抑制二氧化硅蝕刻的磷酸蝕刻液,其特征在于,所述的添加劑含量優選0.01-1%。
7.根據權利要求6所述的抑制二氧化硅蝕刻的磷酸蝕刻液,其特征在于,所述的添加劑包括檸檬酸、聚乙二醇、纖維素衍生物、丙二醇嵌段聚醚、脂肪酸聚乙二醇酯中的至少一種。
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