[發(fā)明專利]用于檢測多激光增材制造處理中的錯誤的熔池監(jiān)測系統(tǒng)和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911086851.1 | 申請日： | 2019-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN111168998B | 公開（公告）日： | 2022-05-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 斯科特·阿倫·戈?duì)柕?/a> | 申請（專利權(quán)）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類號： | B29C64/153 | 分類號： | B29C64/153;B29C64/386;B33Y50/00 |
| 代理公司： | 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖華 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 檢測 激光 制造 處理 中的 錯誤 熔池 監(jiān)測 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種利用多個能量源來監(jiān)測粉末床增材制造處理的方法，其特征在于，所述方法包括：
在增材制造機(jī)器的粉末床上沉積增材材料層；
將來自第一能量源的能量選擇性地引導(dǎo)到所述增材材料層上的第一焦點(diǎn)上；
同時將來自第二能量源的能量選擇性地引導(dǎo)到所述增材材料層上的第二焦點(diǎn)上；
使用熔池監(jiān)測系統(tǒng)測量所述第一焦點(diǎn)處的來自所述粉末床的原始輻射信號；
至少部分地基于所述原始輻射信號與所述第二能量源的操作之間的相互作用來修改所述原始輻射信號，以獲得補(bǔ)償?shù)妮椛湫盘枺?/p>
從所述補(bǔ)償?shù)妮椛湫盘栔凶R別出所述補(bǔ)償?shù)妮椛湫盘柍鲱A(yù)定信號閾值的異常值輻射；和
響應(yīng)于識別出所述異常值輻射而生成警報。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中修改所述原始輻射信號以獲得所述補(bǔ)償?shù)妮椛湫盘柊ǎ?/p>
確定所述第一焦點(diǎn)與所述第二焦點(diǎn)之間的位置矢量，所述位置矢量表示所述第一焦點(diǎn)與所述第二焦點(diǎn)之間的相對方向和距離；
測量所述第二焦點(diǎn)處的來自所述粉末床的二次輻射信號；和
至少部分地基于所述二次輻射信號和所述位置矢量來修改所述原始輻射信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中修改所述原始輻射信號以獲得所述補(bǔ)償?shù)妮椛湫盘柊ǎ?/p>
確定所述第一能量源與所述第二能量源之間的相對軌跡；
測量所述第二焦點(diǎn)處的來自所述粉末床的二次輻射信號；和
至少部分地基于所述二次輻射信號以及所述第一能量源和所述第二能量源的所述相對軌跡來修改所述原始輻射信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，其中所述相對軌跡是所述第一能量源的第一軌跡與所述第二能量源的第二軌跡之間的差異，其中所述第一軌跡和所述第二軌跡中的每一個包括：
焦點(diǎn)的絕對位置；
所述焦點(diǎn)的命令工具路徑；和
所述焦點(diǎn)的沿著所述命令工具路徑的投影速度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，其中至少部分地基于在先時間戳、所述第一焦點(diǎn)的在先位置、當(dāng)前時間戳和所述第一焦點(diǎn)的當(dāng)前位置來計(jì)算所述第一軌跡。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，其中至少部分地基于限定用于促進(jìn)所述增材制造處理的命令工具路徑的掃描模型來確定所述相對軌跡。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中修改所述原始輻射信號以獲得所述補(bǔ)償?shù)妮椛湫盘柊ǎ?/p>
確定用于修改所述原始輻射信號的輻射校正因子。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，其中所述輻射校正因子是所述第一焦點(diǎn)與所述第二焦點(diǎn)之間的相對位置，所述第一能量源和所述第二能量源的相對軌跡，以及穿過所述粉末床的凈化氣體的流動矢量中的至少一個的函數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，其中所述輻射校正因子是從由所述第二能量源產(chǎn)生的第二熔池發(fā)射出的能量或副產(chǎn)物被測量為從由所述第一能量源產(chǎn)生的第一熔池發(fā)射出的光或副產(chǎn)物的概率。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：
將來自第三能量源的能量選擇性地引導(dǎo)到所述增材材料層上的第三焦點(diǎn)上，其中獲得補(bǔ)償?shù)妮椛湫盘柊ㄖ辽俨糠值鼗谒鲈驾椛湫盘柵c所述第三能量源的操作之間的相互作用來修改所述原始輻射信號。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述原始輻射信號通過至少一個同軸熔池傳感器獲得。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中修改所述原始輻射信號以獲得所述補(bǔ)償?shù)妮椛湫盘栠M(jìn)一步包括：
使用離軸熔池傳感器測量粉末床輻射信號；和
至少部分地基于所述粉末床輻射信號來修改所述原始輻射信號。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于通用電氣公司，未經(jīng)通用電氣公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911086851.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
