[發(fā)明專利]一種富集細(xì)胞的微流控芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911083164.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112774743B | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許諾;王一凡;王忠晶;劉立濱 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京機(jī)械設(shè)備研究所 |
| 主分類號(hào): | B01L3/00 | 分類號(hào): | B01L3/00 |
| 代理公司: | 北京安博達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐國(guó)文 |
| 地址: | 100039*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 富集 細(xì)胞 微流控 芯片 | ||
本發(fā)明提供一種富集細(xì)胞的微流控芯片,該芯片包括下層芯片1、中層芯片2和上層芯片3;下層芯片1包括經(jīng)通道依次連接的洗脫模塊105、緩沖模塊106、特異性結(jié)合模塊107和富集模塊108;洗脫模塊105和緩沖模塊106間設(shè)有阻水透氣膜104;洗脫模塊105設(shè)有豎向緩沖液入口101;特異性結(jié)合模塊107和富集模塊108間的通道上設(shè)有特異性磁性粒子溶液入口103;中層芯片包括過濾模塊201和與阻水透氣膜104對(duì)應(yīng)設(shè)置的空腔區(qū)域202。本發(fā)明利用多通路技術(shù),實(shí)現(xiàn)高通量的同時(shí)又兼容了后續(xù)芯片模塊的流量限制,減少各模塊連接的樣本損失。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種微流控芯片以及醫(yī)療檢測(cè)技術(shù),尤其涉及一種微流控芯片及利用其捕獲循環(huán)腫瘤細(xì)胞的方法。
背景技術(shù)
外周血中存在的循環(huán)腫瘤細(xì)胞circulating tumor cell,CTC及循環(huán)腫瘤微栓circulating tumor microemboli,CTM被認(rèn)為是腫瘤轉(zhuǎn)移和復(fù)發(fā)的重要原因和標(biāo)志物。其存在既代表了原發(fā)灶腫瘤的侵襲能力,也預(yù)示了在遠(yuǎn)端形成轉(zhuǎn)移灶的可能性。因此,對(duì)單位體積內(nèi)血液中CTC及CTM數(shù)量的精確檢測(cè),可為早期篩查癌癥提供重要依據(jù);為腫瘤患者病情發(fā)展提供動(dòng)態(tài)監(jiān)控及預(yù)后依據(jù);同時(shí),也是腫瘤細(xì)胞致病機(jī)制及耐藥機(jī)制研究的窗口。與外周血中存在的其他正常血細(xì)胞比,單位體積內(nèi)的CTC及CTM的數(shù)量極為稀少,比例約為1:109,因此對(duì)目標(biāo)細(xì)胞的精確篩選、富集及釋放是實(shí)現(xiàn)可靠檢測(cè)的前提條件。換而言之,對(duì)目標(biāo)細(xì)胞的捕捉率以及釋放率是影響CTC及CTM的重要指標(biāo)。
現(xiàn)有的對(duì)CTC細(xì)胞的富集方法一般分為下述兩個(gè)步驟,根據(jù)CTC與全血中其他細(xì)胞的物理性差異,進(jìn)行物理篩選,以初步富集樣本中的CTC細(xì)胞,提高其在樣本中的濃度;二是利用樣本中不同細(xì)胞表面抗原的特異性表達(dá),用正向或負(fù)向富集的方法進(jìn)一步富集和捕獲對(duì)CTC的。以上兩種步驟不分先后,可以獨(dú)立或組合實(shí)現(xiàn),且技術(shù)途徑多種多樣。如步驟一可以利用鞘流、確定性側(cè)向位移以及濾膜等物理手段實(shí)現(xiàn),步驟二是通過免疫磁性粒子或特異性生物分子探針等生化方式實(shí)現(xiàn)。但上述方法也存在著技術(shù)上的瓶頸,如通量低、操作流程中易出現(xiàn)損失、試劑消耗量大、成本高等。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不足,本發(fā)明提供了一種基于微流控技術(shù)的技術(shù)方案,將物理篩選和特異性磁性粒子捕捉富集這兩種手段集成于芯片,實(shí)現(xiàn)全芯片上的稀有細(xì)胞富集結(jié)構(gòu)和方法,其中利用多通路技術(shù),在實(shí)現(xiàn)高通量的同時(shí)又兼容了后續(xù)芯片模塊的流量限制,減少各模塊連接的樣本損失。通過控制永磁鐵形狀以及擺放方式,在流道特定位置形成高梯度分布的特異性磁性粒子區(qū),來(lái)提高與目標(biāo)細(xì)胞的結(jié)合效率,同時(shí)有效減低了試劑消耗量。而該芯片通過結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),有效降低了芯片中閥門等模塊的使用頻率,簡(jiǎn)化芯片結(jié)構(gòu),從而降低芯片制備成本、提高芯片可靠性以及操作流程的簡(jiǎn)化,易于與自動(dòng)化流程裝置相兼容。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明提供的一種富集細(xì)胞的微流控芯片包括下層芯片1、中層芯片2和上層芯片3;其改進(jìn)之處在于,
下層芯片1包含經(jīng)通道依次連接的洗脫模塊105、緩沖模塊106、特異性結(jié)合模塊107和富集模塊108;洗脫模塊105和緩沖模塊106間設(shè)有阻水透氣膜104;洗脫模塊105設(shè)有豎向緩沖液入口101;特異性結(jié)合模塊107和富集模塊108間的通道上設(shè)有特異性磁性粒子溶液入口103;
中層芯片包括過濾模塊201和與阻水透氣膜104對(duì)應(yīng)設(shè)置的空腔區(qū)域202;
上層芯片3設(shè)有樣品豎向入口301,和排氣口302;該排氣口與阻水透氣膜104和空腔區(qū)域202一道共同構(gòu)成氣栓去除通路。
其中,所述特異性結(jié)合模塊107的磁場(chǎng)發(fā)生結(jié)構(gòu)包括:位于所述下層芯片1中特異性結(jié)合模塊107下方的下磁鐵和位于所述下層芯片1中特異性結(jié)合模塊107上方且與所述下磁鐵對(duì)應(yīng)設(shè)置的上磁鐵;
所述富集模塊108的磁場(chǎng)發(fā)生結(jié)構(gòu)包括:位于所述下層芯片1中富集模塊108下方的分離磁鐵;
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