[發明專利]一次可編程存儲單元及其制作方法和一次可編程存儲器在審
| 申請號： | 201911079651.3 | 申請日： | 2019-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN112786588A | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 王明;王捷吟;倪紅松;王騰鋒 | 申請（專利權）人： | 成都銳成芯微科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/088 | 分類號： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610041 四川省成都*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一次 可編程 存儲 單元 及其 制作方法 存儲器 | ||
1.一種一次可編程存儲單元，其特征在于，所述存儲單元包括串聯的控制MOS管和存儲MOS管，所述存儲MOS管的柵極處于浮置狀態，且所述存儲MOS管的柵極中包括P型柵和N型柵，所述P型柵和所述N型柵相互擴散并接觸，兩者的接觸區形成PN結二極管，以減少所述柵極內的空穴或電子的擴散。
2.根據權利要求1所述的一次可編程存儲單元，其特征在于，所述控制MOS管和所述存儲MOS管相連的極共用一個摻雜區。
3.根據權利要求2所述的一次可編程存儲單元，其特征在于，所述控制MOS管和所述存儲MOS管為PMOS管。
4.根據權利要求1所述的一次可編程存儲單元，其特征在于，所述存儲MOS管的柵極中的所述P型柵和所述N型柵形成的PN結二極管將所述柵極分為P+區和N+區，其中P+區中的多子為空穴、少子為電子，所述N+區中的多子為電子、少子為空穴。
5.一種一次可編程存儲單元的制作方法，其特征在于，所述一次可編程存儲單元包括串聯的控制MOS管和存儲MOS管，所述存儲MOS管的制作方法包括以下步驟：
提供襯底；
在襯底上依次形成介質層、柵極層；
在柵極層中同時注入P型摻雜和N型摻雜以在所述柵極層中同時形成P型柵和N型柵，所述P型摻雜和所述N型摻雜在所述柵極層中相互接觸以形成PN結二極管，以減少所述柵極層內的空穴或電子的擴散；
以所述柵極和柵極介質層為掩膜對所述襯底進行摻雜，以形成摻雜區。
6.根據權利要求5所述的一次可編程存儲單元，其特征在于，所述控制MOS管和所述存儲MOS管相連的極共用一個摻雜區。
7.根據權利要求6所述的一次可編程存儲單元，其特征在于，所述控制MOS管和所述存儲MOS管為PMOS管。
8.根據權利要求5所述的一次可編程存儲單元，其特征在于，所述存儲MOS管的柵極中的所述P型柵和所述N型柵形成的PN結二極管將所述柵極分為P+區和N+區，其中P+區中的多子為空穴、少子為電子，所述N+區中的多子為電子、少子為空穴。
9.一種一次可編程存儲器，其特征在于，所述一次可編程存儲器包括多個如權利要求1-4項中任一項所述的一次可編程存儲單元。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
