[發(fā)明專利]一種適用于負(fù)壓擴(kuò)散爐的壓力控制系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911076370.2 | 申請日: | 2019-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN110867399A | 公開(公告)日: | 2020-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳葉源 | 申請(專利權(quán))人: | 陳葉源 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/22 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 537100 廣西壯族自治區(qū)*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 適用于 擴(kuò)散 壓力 控制系統(tǒng) | ||
本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種適用于負(fù)壓擴(kuò)散爐的壓力控制系統(tǒng),包括排氣管和真空泵,所述排氣管和真空泵之間通過控制管連通,所述控制管的內(nèi)側(cè)壁活動(dòng)連接有活動(dòng)管,所述活動(dòng)管和控制管之間設(shè)置有相互重合的配合孔,所述活動(dòng)管的一側(cè)設(shè)有穩(wěn)壓腔。該適用于負(fù)壓擴(kuò)散爐的壓力控制系統(tǒng),伴隨著擴(kuò)散爐內(nèi)的壓力變化,活動(dòng)管和控制管的相對位置發(fā)生變化,進(jìn)而控制排氣流量自適應(yīng)的調(diào)整擴(kuò)散爐內(nèi)壓力,相比PID算法控制,響應(yīng)速度更快,擴(kuò)散爐內(nèi)的壓力更加平穩(wěn),一方面,隨著壓力變化自適應(yīng)的調(diào)整,對壓力傳感器的需求度較低,另一方面,傳感器設(shè)置在隔絕腐蝕性氣體的腔室內(nèi),降低傳感器精度對生產(chǎn)質(zhì)量的影響。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種適用于負(fù)壓擴(kuò)散爐的壓力控制系統(tǒng)。
背景技術(shù)
擴(kuò)散爐的用于對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜,形成PN結(jié),是半導(dǎo)體制造過程中最重要的工藝設(shè)備,隨著太陽能電池向大尺寸、超薄化方向發(fā)展以及低的表面雜質(zhì)濃度,負(fù)壓狀態(tài)下的擴(kuò)散技術(shù)的優(yōu)勢越加明顯,請參閱圖1,為現(xiàn)有的壓力控制系統(tǒng),通過壓力傳感器感知反應(yīng)腔內(nèi)壓力,控制器根據(jù)壓力數(shù)據(jù)控制蝶閥開度或真空泵的吸力控制氣流流量,進(jìn)而對反應(yīng)腔內(nèi)的壓力進(jìn)行調(diào)整。
獲取反應(yīng)腔內(nèi)壓力數(shù)據(jù),在通過PID算法控制蝶閥開度或真空泵吸力,該過程有較大的滯后性,使得反應(yīng)腔內(nèi)的壓力仍然有一定幅度的波動(dòng),影響擴(kuò)散品質(zhì),其次,由于尾氣中含有較多的腐蝕性成分,長時(shí)間時(shí)候,會(huì)腐蝕傳感器,造成測量精度下降,進(jìn)一步影響半導(dǎo)體品質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述背景技術(shù)的不足,本發(fā)明提供了一種適用于負(fù)壓擴(kuò)散爐的壓力控制系統(tǒng)的技術(shù)方案,具有壓力自調(diào)節(jié),調(diào)節(jié)速度快的優(yōu)點(diǎn),解決了背景技術(shù)提出的問題。
本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種適用于負(fù)壓擴(kuò)散爐的壓力控制系統(tǒng),包括排氣管和真空泵,所述排氣管和真空泵之間通過控制管連通,所述控制管的內(nèi)側(cè)壁活動(dòng)連接有活動(dòng)管,所述活動(dòng)管和控制管之間設(shè)置有相互重合的配合孔,所述活動(dòng)管的一側(cè)設(shè)有穩(wěn)壓腔,所述穩(wěn)壓腔內(nèi)的壓力保持恒定,所述穩(wěn)壓腔和活動(dòng)管之間活動(dòng)連接有移動(dòng)活塞,所述穩(wěn)壓腔連通有補(bǔ)償件。
優(yōu)選的,所述活動(dòng)管和穩(wěn)壓腔之間的配合孔為矩形,且所述活動(dòng)管向排氣管方向移動(dòng)時(shí),配合孔重合度降低,所述活動(dòng)管向穩(wěn)壓腔移動(dòng)時(shí),配合孔重合度提高。
優(yōu)選的,所述穩(wěn)壓腔內(nèi)安裝有壓力傳感器。
優(yōu)選的,所述補(bǔ)償件包括真空腔、連通腔和穩(wěn)定塞,所述穩(wěn)定塞與連通腔之間鏡面設(shè)置,所述連通腔與穩(wěn)壓腔連通,所述真空腔設(shè)置在穩(wěn)定塞的上方。
優(yōu)選的,所述補(bǔ)償件包括負(fù)壓腔、通孔、水腔和控制孔,所述負(fù)壓腔通過通孔與水腔連通,所述水腔的表面設(shè)有控制孔。
優(yōu)選的,所述負(fù)壓腔內(nèi)安裝有壓力傳感器。
本發(fā)明具備以下有益效果:
1、該適用于負(fù)壓擴(kuò)散爐的壓力控制系統(tǒng),伴隨著擴(kuò)散爐內(nèi)的壓力變化,活動(dòng)管和控制管的相對位置發(fā)生變化,進(jìn)而控制排氣流量自適應(yīng)的調(diào)整擴(kuò)散爐內(nèi)壓力,相比PID算法控制,響應(yīng)速度更快,擴(kuò)散爐內(nèi)的壓力更加平穩(wěn)。
2、該適用于負(fù)壓擴(kuò)散爐的壓力控制系統(tǒng),一方面,隨著壓力變化自適應(yīng)的調(diào)整,對壓力傳感器的需求度較低,另一方面,傳感器設(shè)置在隔絕腐蝕性氣體的腔室內(nèi),降低傳感器精度對生產(chǎn)質(zhì)量的影響。
附圖說明
圖1為本發(fā)明中實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明中活動(dòng)管的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明中實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本發(fā)明實(shí)施例二中補(bǔ)償件的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6為現(xiàn)有壓力控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陳葉源,未經(jīng)陳葉源許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911076370.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





