[發明專利]鈣鈦礦薄片的制作方法、單晶鈣鈦礦電池的制備方法

在審

• 申請號: 201911075852.6
• 申請日: 2019-11-06
• 公開（公告）號: CN110797462A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 葛文奇;田清勇;范斌;范利生;陳加坡;方主亮;馬英壯;蔡龍華
• 申請（專利權）人: 蘇州協鑫納米科技有限公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/48;B28D5/04
• 代理公司: 32256 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙)
• 代理人: 趙世發;王鋒

1.一種鈣鈦礦薄片的制作方法，其特征在于包括：在鈣鈦礦晶粒表面設置保護層，之后再對所述的鈣鈦礦晶粒進行切片，進而獲得所述的鈣鈦礦薄片。

2.根據權利要求1所述鈣鈦礦薄片的制作方法，其特征在于：所述保護層完全包裹所述的鈣鈦礦晶粒，所述保護層的材質包括樹脂；和/或，所述保護層的厚度為0.5μm-10cm。

3.根據權利要求1所述鈣鈦礦薄片的制作方法，其特征在于：所述鈣鈦礦晶粒為鈣鈦礦單晶，所述的鈣鈦礦薄片為單晶鈣鈦礦薄片。

4.根據權利要求1所述鈣鈦礦薄片的制作方法，其特征在于：所述的鈣鈦礦薄片的面積為

5.根據權利要求1所述鈣鈦礦薄片的制作方法，其特征在于：所述的鈣鈦礦薄片的厚度為0.5-10μm。

6.一種單晶鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于包括：

采用權利要求1-5中任一項所述的鈣鈦礦薄片的制作方法制作形成單晶鈣鈦礦薄片；

在所述的單晶鈣鈦礦薄片相背對的兩側表面分別制作電子傳輸層、空穴傳輸層，以及，分別在所述的電子傳輸層和空穴傳輸層的表面制作透明金屬電極。

7.根據權利要求6所述單晶鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于包括:采用電子束沉積的方式制作所述的電子傳輸層和空穴傳輸層。

8.根據權利要求6所述單晶鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于：所述電子傳輸層和空穴傳輸層的材質包括氧化鎳、氧化鋅、氧化錫、氧化鈦中的任意一種或兩種以上的組合。

9.根據權利要求6所述單晶鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于：所述透明金屬電極的材質包括ITO、IWO、FTO中的任意一種。

10.根據權利要求6所述單晶鈣鈦礦電池的制備方法，其特征在于還包括：采用封裝層材料對所述的單晶鈣鈦礦電池進行封裝；優選的，所述的封裝材料包括紫外光固化膠。