[發明專利]貼合SOI晶圓的制造方法在審
| 申請號： | 201911075806.6 | 申請日： | 2019-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN111180317A | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發明（設計）人： | 石塚徹;濱節哉 | 申請（專利權）人： | 信越半導體株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/18 | 分類號： | H01L21/18;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 張晶;謝順星 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 貼合 soi 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種貼合SOI晶圓的制造方法，是將均由單晶硅構成的接合晶圓和基礎晶圓經由硅氧化膜貼合來制造貼合SOI晶圓的方法，其特征在于，具有：
準備初始間隙氧濃度在15ppma(’79ASTM)以上的單晶硅晶圓作為所述基礎晶圓的工序；
當通過對所述基礎晶圓在氧化性氣氛下實施熱處理而在所述基礎晶圓的表面形成硅氧化膜時，將所述基礎晶圓向進行所述熱處理的熱處理爐的投入溫度設為800℃以上，并以該投入溫度以上的溫度進行所述基礎晶圓的所述熱處理而形成硅氧化膜的工序；
經由所述硅氧化膜使所述基礎晶圓與所述接合晶圓貼合的工序；以及
使貼合的所述接合晶圓薄膜化而形成SOI層的工序。
2.根據權利要求1所述的貼合SOI晶圓的制造方法，其特征在于，使所述基礎晶圓的直徑在200mm以上。
3.根據權利要求1所述的貼合SOI晶圓的制造方法，其特征在于，在所述熱處理之前對所述基礎晶圓在800℃以上的溫度下進行RTA熱處理。
4.根據權利要求2所述的貼合SOI晶圓的制造方法，其特征在于，在所述熱處理之前對所述基礎晶圓在800℃以上的溫度下進行RTA熱處理。
5.根據權利要求1至4的任一項所述的貼合SOI晶圓的制造方法，其特征在于，
在形成所述硅氧化膜的工序中，
使形成于所述基礎晶圓表面的所述硅氧化膜的厚度在1μm以上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
