[發明專利]高電壓半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201911075512.3
• 申請日: 2019-11-06
• 公開（公告）號: CN112447704A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 韋維克;席德·內亞茲·依曼;陳柏安
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 趙平;周永君

1.一種高電壓半導體結構，其特征在于，包括：

一襯底，有依序相鄰的第一N型阱、P型隔離阱及第二N型阱；

P型重摻雜區，在所述P型隔離阱的表層，其中所述P型隔離阱與所述P型重摻雜區構成摻雜隔離結構；

第一場氧化層與第二場氧化層，在所述襯底的表層與所述P型重摻雜區接觸且位于兩側；

高電壓元件，形成在所述第一N型阱中；

外圍元件，形成在所述第二N型阱中，其中所述摻雜隔離結構隔離所述高電壓元件與所述外圍元件；以及

N型埋入層，在所述襯底中，位于所述第一N型阱與所述第二N型阱的部分的底部。

2.根據權利要求1所述的高電壓半導體結構，其特征在于，所述襯底是硅圓片，或是包含硅圓片以及在所述硅圓片上的外延層，其中所述第一N型阱、所述P型隔離阱及所述第二N型阱是形成在所述外延層中。

3.根據權利要求1所述的高電壓半導體結構，其特征在于，所述P型重摻雜區的上表面沒有場氧化物。

4.根據權利要求1所述的高電壓半導體結構，其特征在于，所述高電壓半導體結構包括一高電壓驅動元件與一高電壓終端結構，其中所述高電壓驅動元件設于所述第一N型阱中以及所述高電壓終端結構圍繞所述高電壓驅動元件。

5.根據權利要求1所述的高電壓半導體結構，其特征在于，所述外圍元件包含電壓移位器。

6.根據權利要求1所述的高電壓半導體結構，其特征在于，還包括：

第一N型重摻雜區，在所述第一N型阱的表層；

第二N型重摻雜區，在所述第二N型阱的表層；

內層介電層，覆蓋過所述襯底；以及

內連線結構，在所述內層介電層中，接所述第一N型重摻雜區與所述第二N型重摻雜區。

7.根據權利要求6所述的高電壓半導體結構，其特征在于，所述第一N型重摻雜區是在高電壓驅動元件上，所述第二N型重摻雜區是N型晶體管的漏極。

8.一種制造高電壓半導體結構的方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

形成N型埋入層，在所述襯底中；

依序形成相鄰的第一N型阱、P型隔離阱及第二N型阱在所述襯底中，其中所述N型埋入層位于所述第一N型阱與所述第二N型阱的部分的底部；

形成P型重摻雜區在所述P型隔離阱的表層，其中所述P型隔離阱與所述P型重摻雜區構成摻雜隔離結構；

形成第一場氧化層與第二場氧化層，在所述襯底的表層與所述P型重摻雜區接觸且位于兩側；

形成高電壓元件在所述第一N型阱中；以及

形成外圍元件在所述第二N型阱中，其中所述摻雜隔離結構隔離所述高電壓元件與所述外圍元件。

9.根據權利要求8所述的制造高電壓半導體結構的方法，其特征在于，所述P型重摻雜區的上表面沒有場氧化物。

10.根據權利要求8所述的制造高電壓半導體結構的方法，其特征在于，形成所述高電壓元件的步驟包括：

形成高電壓驅動元件在所述第一N型阱中，其中一高電壓終端結構圍繞所述高電壓驅動元件。

11.根據權利要求8所述的制造高電壓半導體結構的方法，其特征在于，形成所述外圍元件的步驟包括形成電壓移位器在所述第二N型阱中。