[發明專利]三維存儲器的制作方法

有效

• 申請號: 201911074166.7
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN110767655B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 耿萬波;薛磊;劉慶波;薛家倩;姚蘭;劉小欣
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張靜

1.一種三維存儲器的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成圖形化的犧牲層，所述犧牲層中具有通孔；

在所述通孔內形成填充塊；

形成覆蓋所述犧牲層以及所述填充塊的堆疊結構；

以所述填充塊為阻擋層，形成貫穿所述堆疊結構的柵極線溝槽，露出所述填充塊；

基于所述柵極線溝槽，去除所述填充塊后，去除所述犧牲層；

在所述堆疊結構與所述襯底之間形成選擇性外延層。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述填充塊的形成方法包括：

在所述通孔內沉積金屬材料，作為所述填充塊。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，在形成所述堆疊結構之前，還包括：

采用化學機械研磨工藝，去除部分所述犧牲層以及部分所述填充塊，使得所述犧牲層與所述填充塊表面齊平。

4.根據權利要求1-3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述堆疊結構具有多層交替層疊的第一絕緣介質層以及第二絕緣介質層；

其中，所述犧牲層、所述第一絕緣介質層以及所述第二絕緣介質層的材料互不相同；所述犧牲層與所述襯底之間具有一層所述第一絕緣介質層。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述犧牲層為多晶硅，所述第一絕緣介質層為氧化硅，所述第二絕緣介質層為氮化硅。

6.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述通孔貫穿所述犧牲層，露出所述襯底表面的所述第一絕緣介質層。

7.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，去除所述填充塊以及所述犧牲層的方法包括：

通過第一刻蝕試劑去除所述填充塊后，通過第二刻蝕試劑去除所述犧牲層，露出所述襯底表面的所述第一絕緣介質層。

8.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，在去除所述犧牲層后，在形成所述選擇性外延層之前，還包括：

同步去除所述襯底表面的所述第一絕緣介質層以及溝道孔結構位于所述堆疊結構與所述襯底之間的側壁表面的絕緣介質層。

9.根據權利要求1-3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述堆疊結構具有多層交替層疊的第一絕緣介質層以及第二絕緣介質層；

其中，所述犧牲層與所述第一絕緣介質層材料相同，所述犧牲層直接形成在所述襯底表面。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述犧牲層與所述第一絕緣介質層的材料為氧化硅，所述第二絕緣介質層為氮化硅。

11.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，去除所述填充塊以及所述犧牲層的方法包括：

通過第一刻蝕試劑去除所述填充塊后，露出所述通孔底部的所述襯底；

在所述柵極線溝槽的側壁形成保護層；

基于具有所述保護層的所述柵極線溝槽，同步去除所述犧牲層以及溝道孔結構位于所述堆疊結構與所述襯底之間的側壁表面的絕緣介質層；

其中，在所述襯底與所述堆疊結構之間形成所述選擇性外延層后，去除所述柵極線溝槽側壁的所述保護層。

12.根據權利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述保護層為多晶硅。

13.根據權利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述通孔未貫穿所述犧牲層，所述填充塊與所述襯底之間具有部分犧牲層；去除所述填充塊后，露出該部分犧牲層，在所述柵極線溝槽側壁形成所述保護層時，同步在該部分犧牲層表面形成所述保護層；在去除所述犧牲層時，同步去除該部分犧牲層表面的所述保護層。

14.根據權利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述通孔貫穿所述犧牲層；去除所述填充塊后，露出所述通孔底部的部分襯底，在所述柵極線溝槽側壁形成所述保護層時，同步在該部分襯底表面形成所述保護層；去除所述犧牲層時，保留該部分襯底表面的所述保護層，形成所述選擇性外延層。