[發明專利]CsPbBr3 在審
| 申請號： | 201911073995.3 | 申請日： | 2019-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN111106244A | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發明（設計）人： | 曹小兵;張國帥;賈怡;蔡一帆;蔣龍 | 申請（專利權）人： | 五邑大學;中國空間技術研究院 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 劉方 |
| 地址： | 529000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cspbbr base sub | ||
1.一種CsPbBr3薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
取PbBr2溶解于混合溶劑中形成PbBr2溶液，所述混合溶劑為聚乙二醇和γ-丁內酯，涂覆所述PbBr2溶液進行成膜；
在所述PbBr2溶液進行成膜的過程中或者成膜后加入揮發性反溶劑，形成PbBr2·PEG薄膜后進行第一退火處理，所述揮發性反溶劑與聚乙二醇互溶；
在所述PbBr2·PEG薄膜上涂覆CsBr溶液，進行處理以使得CsBr與PbBr2反應生成CsPbBr3。
2.根據權利要求1所述的CsPbBr3薄膜的制備方法，其特征在于，所述揮發性反溶劑包括異丙醇、苯甲醚、冰醋酸、乙酸乙酯中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的CsPbBr3薄膜的制備方法，其特征在于，所述混合溶劑中，γ-丁內酯的體積分數為10％～60％。
4.根據權利要求1所述的CsPbBr3薄膜的制備方法，其特征在于，所述PbBr2溶液的溫度為20℃～150℃。
5.根據權利要求1-4任一項所述的CsPbBr3薄膜的制備方法，其特征在于，所述第一退火處理的溫度為60℃～120℃。
6.根據權利要求1-4任一項所述的CsPbBr3薄膜的制備方法，其特征在于，所述處理的方式包括第二退火處理和/或光照處理。
7.根據權利要求6所述CsPbBr3薄膜的制備方法，其特征在于，所述第二退火處理的溫度為20℃～300℃；所述光照處理的功率密度為200mW/cm2～1000mW/cm2。
8.一種CsPbBr3薄膜，其特征在于，所述CsPbBr3薄膜由根據權利要求1-7任一項所述的CsPbBr3薄膜的制備方法制備。
9.一種器件，其特征在于，所述器件包括權利要求8所述的CsPbBr3薄膜。
10.根據權利要求9所述的器件，其特征在于，所述器件包括太陽能電池、發光二極管、光電探測器、阻變存儲器和隨機激光發射器中的任一種。
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