[發明專利]無源射頻器件機器制作方法

在審

• 申請號: 201911073285.0
• 申請日: 2019-11-05
• 公開（公告）號: CN111081536A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 秦國軒;楊曉東;游子璇
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/027;H01L21/822
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 劉國威

1.一種無源射頻器件機器制作方法，其特征是，首先通過光刻技術在本征半導體襯底上形成摻雜圖形區域。然后，對該區域進行選擇性高濃度摻雜，摻雜厚度為3-5微米。摻雜后對器件進行退火處理，完成新型無源射頻器件的制備。

2.如權利要求1所述的無源射頻器件機器制作方法，其特征是，具體的制作工藝如下：

a、選用本征半導體材料硅作為襯底，首先將硅放進盛有丙酮溶液的燒杯中，然后在超聲波清洗器中清洗，隨后使用異丙醇溶液將用丙酮清洗過的硅片在超聲波清洗器中將丙酮清洗干凈，得到較為清潔的襯底；

b、在硅片表面涂上正型光刻膠，并使用勻膠機，將光刻膠甩均勻，隨后使用光刻機以及制作好的掩膜版進行光刻形成特定的摻雜區圖案，隨后采用離子注入的方式進行N型注入，參數為注入能量為50kev，劑量為1019cm-2，產生高濃度摻雜區，在950℃的溫度條件下，快速熱退火10s之后，在丙酮溶液中除去光刻膠，去膠之后，器件的制備完成。