[發明專利]金/二氧化鈦肖特基結的熱電子光電探測器及其制備方法

在審

• 申請號: 201911072057.1
• 申請日: 2019-11-05
• 公開（公告）號: CN110797423A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 崔艷霞;邱開放;王文艷;翟愛平;張葉;李國輝;冀婷;郝玉英
• 申請（專利權）人: 太原理工大學
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18
• 代理公司: 14101 太原市科瑞達專利代理有限公司
• 代理人: 李富元

1.一種金/二氧化鈦肖特基結的熱電子光電探測器，其特征在于：從上至下依次為金膜、金顆粒、二氧化鈦層、摻氟氧化銦錫FTO層、玻璃襯底，金膜厚度為20 納米，金顆粒厚度為4 納米，二氧化鈦層厚度為20 納米，摻氟氧化銦錫FTO層厚度為200 納米。

2.一種制作權利要求 1 所述的金/二氧化鈦肖特基結的熱電子光電探測器的方法，其特征在于按照如下的步驟進行：

步驟一、將摻氟氧化銦錫FTO導電玻璃作為襯底，依次用去離子水、無水乙醇、丙酮、異丙醇在超聲清洗機中超聲清洗各20分鐘，然后用氮氣吹干，并置于氧等離子體清洗機中清洗5分鐘，之后傳入濺射室，當壓強降到5*10^-4 帕以下時開始濺射；

步驟二、二氧化鈦層和金膜制備，利用正對濺射的方法在摻氟氧化銦錫導電玻璃襯底一側表面沉積二氧化鈦層，沉積速率為0.017± 0.002 納米/秒，沉積厚度為20 納米，利用正對濺射的方法在二氧化鈦表面沉積金膜，沉積速率為0.1± 0.01納米/秒，沉積厚度為4納米；

步驟三、金顆粒制備，將制備的附有二氧化鈦層和金膜的摻氟氧化銦錫導電玻璃放入馬弗爐中，設定溫度進行退火處理，升溫速率為3 度/分鐘，當溫度升至500度時保溫3 小時，之后自然冷卻降溫至室溫；

步驟四、沉積一層金層，利用正對濺射的方法在退火處理后的附有二氧化鈦層和金顆粒的摻氟氧化銦錫導電玻璃表面沉積金，沉積速率為0.3 ± 0.002納米/秒，沉積厚度為20納米。

3.根據權利要求2 所述的制作一種金/二氧化鈦肖特基結的熱電子光電探測器的方法，其特征在于：步驟三中，沉積20 納米金層之前，需對之前的膜層進行500度3小時高溫退火，以使二氧化鈦結晶以及金膜轉變為金顆粒。