[發明專利]發光元件

在審

• 申請號: 201911070837.2
• 申請日: 2016-02-04
• 公開（公告）號: CN110854250A
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發明（設計）人: 金鐘奎;李素拉;尹馀鎮;金在權;李俊燮;姜珉佑;吳世熙;金賢兒;林亨鎮
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/62;H01L27/15
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 姜長星;張川緒

1.一種發光元件，包括：

第一發光結構體；

第二發光結構體，與所述第一發光結構體布置在同一平面上；

第一接觸電極，包括覆蓋所述第一發光結構體的上部的同時延伸為覆蓋所述第二發光結構體上部的一部分的多個電極連接部；

第二接觸電極，形成在所述第二發光結構體上，

其中，所述第一發光結構體和第二發光結構體中的每一個包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層和介于所述第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的活性層，

所述第一接觸電極電連接到所述第一發光結構體的第一導電型半導體層的同時，通過所述電極連接部沿所述第二發光結構體的一個邊在多個位置電連接到所述第二發光結構體的第二接觸電極，

所述第二接觸電極與所述第二發光結構體的第二導電型半導體層歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的發光元件，其中，所述第一發光結構體和所述第二發光結構體包括彼此面對的邊，

所述多個電極連接部位于所述彼此面對的邊附件。

3.根據權利要求1所述的發光元件，還包括：絕緣層，覆蓋所述第二發光結構體和所述第二接觸電極，

其中，所述絕緣層具有暴露所述第二接觸電極的多個開口部，

其中，所述多個電極連接部通過所述多個開口部連接到所述第二接觸電極。

4.根據權利要求3所述的發光元件，其中，所述絕緣層包括厚度彼此不同的部分。

5.根據權利要求4所述的發光元件，其中，所述絕緣層的覆蓋所述第二發光結構體的第二導電型半導體層的部分比所述絕緣層的覆蓋所述第二接觸電極的部分更厚。

6.根據權利要求5所述的發光元件，其中，所述絕緣層包括：

預絕緣層，覆蓋所述發光結構體的上表面或者側面的一部分；以及

主絕緣層，形成為覆蓋所述預絕緣層以及第二接觸電極。

7.根據權利要求3所述的發光元件，其中，還包括：基板，布置有所述第一發光結構體和第二發光結構體，

所述基板是具有多個突起的圖案化的基板，

所述絕緣層覆蓋所述第一發光結構體與所述第二發光結構體之間的所述基板區域且沿所述多個突起形成而具有凹凸結構。

8.根據權利要求7所述的發光元件，其中，所述第一接觸電極在所述第一發光結構體與所述第二發光結構體之間的所述基板區域位于所述絕緣層上，

所述第一接觸電極沿所述絕緣層的凹凸結構形成而具有凹凸結構。

9.根據權利要求1所述的發光元件，其中，所述第一接觸電極包括Al的金屬層。

10.根據權利要求1所述的發光元件，還包括：

另一第一接觸電極，位于所述第二發光結構體上部，電連接到所述第二發光結構體的第一導電型半導體層，

其中，所述另一第一接觸電極的一部分位于所述多個電極連接部之間。

11.根據權利要求10所述的發光元件，其中，所述另一第一接觸電極包括Al的金屬層。

12.根據權利要求10所述的發光元件，還包括：第二絕緣層，覆蓋所述第一接觸電極和所述另一第一接觸電極。

13.根據權利要求12所述的發光元件，其中，所述第二絕緣層包括暴露所述第一接觸電極的開口部。

14.根據權利要求10所述的發光元件，還包括：

另一第二接觸電極，與所述第一發光結構體的第二導電型半導體層歐姆接觸；以及

絕緣層，布置在所述另一第二接觸電極與所述第一接觸電極之間，

其中，所述第一接觸電極位于所述第二接觸電極上部。