[發明專利]一種濕敏元件及其制備工藝在審
| 申請號： | 201911070795.2 | 申請日： | 2019-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN110927001A | 公開（公告）日： | 2020-03-27 |
| 發明（設計）人： | 陳貴東;毛海央;陳大鵬 | 申請（專利權）人： | 無錫物聯網創新中心有限公司 |
| 主分類號： | G01N5/02 | 分類號： | G01N5/02;G01N33/00 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 李亞南 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市新吳區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 元件 及其 制備 工藝 | ||
1.一種濕敏元件，其特征在于，包括：晶振片(1)，設置于晶振片(1)的一側面表層的濕敏材料層，所述濕敏材料層由燃料(4)燃燒過程中的火焰沉積形成的燭灰納米顆粒結構(2)構成，且燭灰納米顆粒結構(2)的表層經過親水性處理(3)。
2.根據權利要求1所述的濕敏元件，其特征在于，所述濕敏材料層的厚度為1μm～8μm。
3.根據權利要求1或2所述的濕敏元件，其特征在于，所述晶振片(1)為基準頻率5～10MHz的石英晶振片。
4.一種濕敏元件的制備工藝，其特征在于，包括：
將晶振片(1)放置在燃料(4)燃燒的火焰上方，將燃燒過程中形成的燭灰納米顆粒通過熏鍍的方式熏鍍在晶振片(1)上形成燭灰納米顆粒結構(2)，然后對燭灰納米顆粒結構(2)的表面進行親水性處理(3)后形成濕敏元件；
或者，將燃燒過程中形成的燭灰納米顆粒收集后，將其采用噴涂的方式附著在晶振片(1)上形成燭灰納米顆粒結構(2)，然后對燭灰納米顆粒結構(2)的表面進行親水性處理(3)后形成濕敏元件。
5.根據權利要求4所述的濕敏元件的制備工藝，其特征在于，所述晶振片(1)距離火焰的內焰頂端的距離為0.5cm～1.5cm，熏鍍過程中勻速移動晶振片(1)。
6.根據權利要求4或5所述的濕敏元件的制備工藝，其特征在于，所述燭灰納米顆粒結構(2)的厚度為1μm～8μm。
7.根據權利要求4～6任一項所述的濕敏元件的制備工藝，其特征在于，所述親水性處理(3)的處理方式為氧等離子體轟擊。
8.根據權利要求7所述的濕敏元件的制備工藝，其特征在于，所述氧等離子體轟擊中氧氣流量為1～5L/min、功率為50～500W。
9.根據權利要求7或8所述的濕敏元件的制備工藝，其特征在于，所述氧等離子體轟擊的時間為30～60s。
10.根據權利要求4～9任一項所述的濕敏元件的制備工藝，其特征在于，所述燃料(4)為蠟、酒精或油；所述晶振片(1)為基準頻率5～10MHz的石英晶振片。
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